[发明专利]调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置有效
| 申请号: | 201310156284.9 | 申请日: | 2013-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN103377979A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
| 发明(设计)人: | 金炯俊 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/20;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址: | 韩国忠清*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 调节 具有 用于 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,该基板处理装置包括:
室,其设有在其中执行处理的空间;
支撑件,其在所述室中支撑基板;
气体供给件,其将处理气体供给到布置在所述支撑件上的所述基板上;以及
排气组件,其与所述室耦合以排放所述室中的气体,
其中所述排气组件包括:
排气管,其连接到所述室;
排气室,其连接到所述排气管以在所述排气管中提供真空压力;
阀,其调节所述排气管的开口率;以及
调节板,其具有设置在所述室中的覆盖板,以当所述排气管部分地打开时,在与所述排气管的打开区域相对应的方向上干扰在所述室的内部区域中的所述处理气体的流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述覆盖板具有围绕所述支撑件的一部分的弧形形状。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述调节板还包括:
外环,其耦合至接触所述室的内壁;以及
内环,其耦合至接触所述支撑件的外表面,
其中所述覆盖板耦合在所述外环与所述内环之间。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中所述覆盖板具有多个孔,并且所述多个孔相应地沿着上下方向倾斜。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中所述孔相应地以狭缝的形式设置。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中所述狭缝具有弧形形状。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中所述孔朝向远离所述支撑件的方向向上倾斜。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中一些所述孔倾斜使得当从上侧观察时看不到所述覆盖板的下部区域。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中另一些所述孔倾斜使得当从上侧观察时可见所述覆盖板的下部区域。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其中所述一些孔邻近所述覆盖板的外侧布置,并且所述另一些孔邻近所述覆盖板的内侧布置。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述覆盖板具有多个孔,所述多个孔沿着远离所述支撑件的方向具有不同尺寸。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其中邻近所述覆盖板的内侧布置的所述多个孔比邻近所述调节板的外侧布置的所述多个孔具有更大的宽度。
13.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述排气组件具有围绕所述支撑件的圆环形状,所述排气组件具有多个通孔,并且所述排气组件还包括布置在所述调节板上的挡板。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述排气管布置在所述室的底面中心上。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置,其中所述阀包括在垂直于所述排气管的长度方向的平面上运动的控制板。
16.一种布置在室内的用于调节在所述室中的每个区域中的排放量的调节板,所述调节板包括:
外环;
内环,其布置在所述外环的内侧上;以及
覆盖板,其布置在所述外环与所述内环之间的区域的一部分上,并且具有多个孔。
17.根据权利要求16所述的调节板,其中所述覆盖板具有弧形形状。
18.根据权利要求17所述的调节板,其中所述多个孔相应地沿着上下方向倾斜。
19.根据权利要求18所述的调节板,其中一些所述多个孔倾斜使得当从上侧观察时看不到所述覆盖板的下部区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





