[发明专利]一种闪存封装芯片

说明书

技术领域

本发明涉及闪存芯片领域，尤其涉及一种闪存封装芯片。

背景技术

增强型闪存芯片是英特尔（Intel）公司将主推的基本输入输出系统（BIOS）芯片。增强型闪存芯片包含一个大容量的闪存（Flash）芯片和拓展芯片。其中，Flash芯片用来存储中央处理器（CPU）BIOS的代码和数据；拓展芯片用来提供读写数据的机密性和完整性。拓展芯片与其集成的Flash芯片一起构成了PC系统中BIOS的硬件平台。为了适应不同系统的需求，往往需要Flash芯片具备一些特殊的功能，而Flash芯片已有的功能已经固定，因此需要重新设计生产整个芯片来实现产品拓展功能的增加。

目前的增强型闪存芯片，把大容量Flash芯片和拓展芯片集成的一个裸芯片（die）上。拓展芯片和Flash芯片的集成芯片具有以下缺点：复杂度较高、设计和生产周期较长、成本较高；由于为集成芯片，重复利用性较差，而且集成芯片在一个时刻只能执行一种指令操作，也不可以对Flash进行组合封装扩展容量，所以Flash的容量不可扩展，另外，由于裸芯片上集成了RPMC和Flash，所以单片裸芯片的面积大，封装面积大，封装成本也较高。

发明内容

本发明提供了一种闪存封装芯片，能够解决现有技术中集成芯片（增强型闪存芯片）复杂度较高、设计和生产周期较长、成本较高等问题。

本发明公开了一种闪存封装芯片，包含：

基板；

闪存（Flash）芯片；

拓展芯片，与所述Flash芯片相互连接并封装在所述基板上。

优选地，所述Flash芯片为串行外设接口闪存（SPI Flash）芯片。

优选地，所述拓展芯片为应答保护单调计数器（RPMC）芯片。

优选地，所述Flash芯片为支持串行闪存可搜寻参数（SFDP）功能的芯片。

优选地，所述拓展芯片为支持SFDP功能的芯片。

优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片都为支持SFDP功能的芯片，所述Flash芯片或所述拓展芯片设置有控制开关，或者所述Flash芯片和所述拓展芯片分别设置有控制开关，所述控制开关用来控制SFDP功能的开启或关闭。

优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片以并行排列或者堆叠的方式封装在所述基板上。

优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片以堆叠的方式封装在所述基板上，

若所述Flash芯片的面积大于所述拓展芯片的面积，所述Flash芯片设置在所述基板上，所述拓展芯片设置在所述Flash芯片上；

若所述Flash芯片的面积小于所述拓展芯片的面积时，所述拓展芯片设置在所述基板上，所述Flash芯片设置在所述拓展芯片上。

优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片具有共享输入输出（IO）接口。

优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片各自具有单独的IO接口。

优选地，所述Flash芯片和所述拓展芯片通过引线键合或倒装凸点的方式封装在所述基板上。

本发明的闪存封装芯片通过将单独的Flash芯片和拓展芯片进行封装，复杂度较低、设计和生产周期较短、成本较低；Flash芯片的容量可扩展；而且两个芯片可并行工作，可以执行不同的指令操作；另外可以把不同工艺的Flash芯片和拓展芯片封装在一起，复用现有的芯片资源，降低开发成本，而且可以对单个的芯片进行更换，降低更换成本。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的闪存封装芯片的堆叠封装逻辑连接示意图；

图2是根据本发明第一实施例的闪存封装芯片的堆叠封装原理示意图。

图3是根据本发明第二实施例的闪存封装芯片的堆叠封装逻辑连接示意图；

图4是根据本发明第二实施例的闪存封装芯片的堆叠封装原理示意图。

图5是根据本发明的闪存封装芯片的封装流程图。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。