[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310153116.4 | 申请日: | 2013-04-27 |
公开(公告)号: | CN103280448A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 孙建;王磊;薛海林;陈小川 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/044 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,出现了将输入、输出终端一体化的触控式显示装置,随着小巧、轻盈的手持触控设备等一系列产品的问世,市场对触控式显示装置的需求激增。在现有的各种触控式显示装置中,电容触控装置中的投射式电容触控装置由于能够实现真正的多点触控和高灵敏度等优点而成为主要的开发方向。
如图1所示,为现有的所述投射式电容触控屏中的一种互感式电容触控显示装置的阵列基板,所述阵列基板包括栅线11,数据线12,栅线11和数据线12限定的像素区域内的像素电极13以及TFT(ThinFilm Transistor,薄膜场效应晶体管)14,所述互感式电容触控显示装置的阵列基板上还包括交叉设置的条状的公共电极15和传感线16,所述传感线16与所述数据线12同层设置,所述公共电极15为分时驱动,当探测触摸位置时,在所述公共电极上加载交流电压,在所述公共电极15与所述传感线16之间形成耦合电容。所述当人的手指触摸时,手指与所述公共电极15和所述传感线16会产生新的电容,通过扫描公共电极15和传感线16交叉处的电容的变化,可以判断触摸点的位置。
发明人发现,上述触控显示装置中的阵列基板,在基板中新增了一条与数据线同层设置的传感线,其引入会导致显示装置的开口率降低,且为了实现触摸显示的灵敏度,所述传感线就需要足够宽,与所述公共电极的之间形成足够大的耦合电容,这就进一步降低了显示装置的开口率。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,可以提高显示装置的开口率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种阵列基板,包括栅线,数据线,设置在所述栅线和数据线限定的像素区域内的像素电极和薄膜晶体管,以及公共电极;还包括:
第一传感线和第二传感线,所述第一传感线和所述第二传感线上下层平行对应设置,且均与所述公共电极上的电极条交叉设置;
其中,所述第一传感线位于所述第二传感线所在的图案层与所述公共电极所在的图案层之间,所述第二传感线与所述公共电极电连接。
可选的,所述第一传感线与所述数据线同层设置,且与所述数据线平行;所述第二传感线与所述栅线同层设置,且与所述栅线不连通。
可选的,所述第一传感线与所述栅线同层设置,且与所述栅线平行;所述第二传感线与所述数据线同层设置,且与所述数据线不连通。
可选的,所述公共电极上的各个电极条电连接。
一种阵列基板的制作方法,包括:
在透明基板上制作金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅极、栅线和第二传感线的图案,所述栅线与所述第二传感线交叉设置,且不连通;
在制作有栅极、栅线和第二传感线的基板上依次制作带过孔的栅绝缘层和半导体层;
在制作有半导体层的基板上制作金属薄膜,通过构图工艺形成包括源漏极、数据线和第一传感线的图案,所述数据线与所述第一传感线平行,所述第一传感线位于所述第二传感线的正上方;
在制作有源漏极、数据线和第一传感线的基板上依次制作像素电极、带过孔的钝化层和公共电极;所述公共电极通过所述钝化层的过孔和所述栅绝缘层的过孔与所述第二传感线连接。
一种阵列基板的制作方法,包括:
在基板上制作金属薄膜,通过构图工艺形成包括源漏极、数据线和第二传感线的图案,所述数据线与所述第二传感线平行;
在制作有源漏极、数据线和第二传感线的基板上制作像素电极、半导体层和带过孔的栅绝缘层;
在制作有栅绝缘层的基板上制作金属薄膜,通过构图工艺形成包 括栅极、栅线和第一传感线的图案,所述栅线与所述第一传感线平行,所述第一传感线位于所述第二传感线的正上方;
在制作有栅极、栅线和第一传感线的基板上依次制作带过孔的钝化层和公共电极;所述公共电极通过所述钝化层的过孔和所述栅绝缘层的过孔与所述第二传感线连接。
一种显示装置,包括上述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的