[发明专利]电容式触摸屏及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及电容式触摸屏，特别是涉及一种电容触摸屏及其制备方法。

背景技术

电容式触摸屏是在玻璃表面贴上一层透明的特殊金属导电物质。当手指触摸在金属层上时，触点的电容就会发生变化，使得与之相连的振荡器频率发生变化，通过测量频率变化可以确定触摸位置获得信息。电容式触摸屏的主要组成部分是基板、基板上沉积的氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)透明电极膜、基板上沉积的金属引线电极层膜、覆盖ITO透明电极和金属引线电极层的二氧化硅膜、以及覆盖二氧化硅膜的透明树脂膜。

经过几年的发展，电容式触摸屏的制备流程和工艺也逐步成熟。从双面双层到单面双层，从有玻璃对玻璃结构(G+G)，玻璃对膜结构（G+F）到一体化电容式触摸屏(one glass solution,OGS)。目前，OGS触摸屏由于从结构中省去了一片玻璃，降低了生产的成本，具有轻、薄、透光率好的优点，从而使其成为电容式触摸屏的主流。然而，传统的制备OGS触摸屏主要以金属桥式结构为主，容易出现鬼影造成透光率偏低的现象。

发明内容

基于此，有必要提供一种透光率较高的电容触摸屏及其制备方法。

一种电容式触摸屏，包括：

玻璃基板，包括第一表面和第二表面；

由氧化铟锡构成的感应层，设置在所述第一表面上，包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；

由氧化铟锡构成的搭桥层，相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层与所述第一感应块之间设有第一绝缘层，所述搭桥层的厚度为所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同；

第二绝缘层，设置在所述搭桥层和第二感应块上；

第一引线和第二引线，设置在所述第一表面的边缘，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及

由二氧化硅构成的保护层，设置在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上，所述保护层的厚度为

在其中一个实施例中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质为有机颗粒碳、光学透明胶或无影胶。

一种电容式触摸屏的制备方法，包括：

提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面和第二表面；

采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到感应层，所述感应层包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；

在所述第一感应块周围涂布透明绝缘材料，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层；

采用真空磁控溅射在所述感应层上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，所述搭桥层的厚度为相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同，所述第一绝缘层设置在所述搭桥层与所述第一感应块之间，所述第二绝缘层设置在所述搭桥层和第二感应块上；

采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及

采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和所述第二引线上制备二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层的厚度为

在其中一个实施例中，在采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡之前还包括：采用水洗、碱洗、二流体喷淋、超纯水喷淋和超纯水高压喷淋对所述第一表面和第二表面进行清洗。

在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间10s～15s。

在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述绝缘图案层上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间为10s～15s。

在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属的溅射温度为35℃～50℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。

在其中一个实施例中，所述采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上制备二氧化硅保护层的溅射温度为75～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。

在其中一个实施例中，还包括：采用真空磁控溅射在所述第二表面上溅镀氧化铟锡，得到保护层，所述保护层的厚度为