[发明专利]电容式触摸屏及其制备方法

权利要求书

1.一种电容式触摸屏，其特征在于，包括：

玻璃基板，包括第一表面和第二表面；

由氧化铟锡构成的感应层，设置在所述第一表面上，包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为，所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；

由氧化铟锡构成的搭桥层，相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层与所述第一感应块之间设有第一绝缘层，所述搭桥层的厚度为，所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同；

第二绝缘层，设置在所述搭桥层和第二感应块上；

第一引线和第二引线，设置在所述第一表面的边缘，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及

由二氧化硅构成的保护层，设置在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上，所述保护层的厚度为

2.根据权利要求1所述的电容式触摸屏，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质为有机颗粒碳、光学透明胶或无影胶。

3.一种电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，包括：

提供玻璃基板，所述玻璃基板包括第一表面和第二表面；

采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到感应层，所述感应层包括多个相互间隔绝缘的第一感应块和第二感应块，所述感应层的厚度为，所述感应层与所述玻璃基板的颜色相同；

在所述第一感应块周围涂布透明绝缘材料，经蚀刻得到第一绝缘层和第二绝缘层；

采用真空磁控溅射在所述感应层上溅镀氧化铟锡，经曝光、显影、蚀刻得到搭桥层，所述搭桥层的厚度为，相邻的所述第二感应块通过所述搭桥层电连接，所述搭桥层的颜色与所述玻璃基板的颜色相同，所述第一绝缘层设置在所述搭桥层与所述第一感应块之间，所述第二绝缘层设置在所述搭桥层和第二感应块上；

采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属，经曝光、显影、蚀刻得到第一引线和第二引线，所述第一引线与所述感应层相连，所述第二引线与所述搭桥层相连；及

采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和所述第二引线上制备二氧化硅保护层，所述二氧化硅保护层的厚度为

4.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，在采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡之前还包括：采用水洗、碱洗、二流体喷淋、超纯水喷淋和超纯水高压喷淋对所述第一表面和第二表面进行清洗。

5.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间10s～15s。

6.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述绝缘图案层上溅镀氧化铟锡的溅射温度为350℃～400℃，溅射速度为0.9m/s～1.2m/s，溅射时间为10s～15s。

7.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第一表面的边缘溅镀金属的溅射温度为35℃～50℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。

8.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第二绝缘层、所述搭桥层、所述第一引线和第二引线上制备二氧化硅保护层的溅射温度为75℃～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。

9.根据权利要求3所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，还包括：采用真空磁控溅射在所述第二表面上溅镀氧化铟锡，得到保护层，所述保护层的厚度为

10.根据权利要求9所述的电容式触摸屏的制备方法，其特征在于，所述采用真空磁控溅射在所述第二表面上溅镀氧化铟锡的溅射温度为75℃～90℃，溅射速度为1.2m/s～1.5m/s，溅射时间为8s～12s。