[发明专利]半导体发光元件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体发光元件。

背景技术

近年来，开发了将形成在相对于发光波长具有透光性的基板上的半导体发光元件翻过来（倒过来）并装载于电路板（次安装基台）或外壳（封装体：package）的倒装芯片接合（FC）安装技术。所谓倒装芯片安装，是将与电极形成面相对的生长基板侧作为主光取出面的安装方式，也称为正面朝下安装。例如，在专利文献1中记载有采用倒装芯片进行安装的半导体发光元件，其具备由蓝宝石构成的基板、包含n型半导体层、发光层和p型半导体层且层叠在基板上的叠层半导体层、形成在p型半导体层上的正电极、以及形成在n型半导体层上的负电极。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2010-263016号公报

发明内容

然而，在采用倒装芯片进行安装的半导体发光元件中，为了向基板侧的方向输出来自发光层的光，并提高辉度而要求较高的反射率。使用银（Ag）作为高反射性的金属。

但是，银（Ag）与其他元素相比，移动性（迁移性：migration）高，例如有对由GaN电位引起的缺陷造成影响并产生漏电流的情况。另外，为了防止迁移现象，可考虑例如在包含银（Ag）的金属反射膜上设置阻挡层等手段，但进而产生制造工序变得烦杂等问题。

本发明的目的在于，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中使金属反射膜的可靠性提高。

即，根据本发明，提供一种半导体发光元件，其特征在于，具有：叠层半导体层，其层叠有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；透明导电层，其层叠在所述叠层半导体层的所述p型半导体层上，且由相对于从所述发光层射出的光显示透光性的金属氧化物构成；绝缘反射层，其层叠在所述透明导电层上，且设置有该透明导电层的一部分露出的多个开口部；金属反射层，其形成在所述绝缘反射层上和该绝缘反射层的所述开口部内，且由包含铝的金属构成；以及金属接触层，其至少设置在所述透明导电层的在所述开口部露出的部分与所述金属反射层的形成于该开口部内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。

在此，优选：所述金属接触层至少包含从铬、钼和镍中选出的元素。

另外，优选：在所述金属接触层与所述金属反射层之间还具有包含铝或铝-钕合金的第1金属层和包含钽或镍的第2金属层。

此外，优选：所述金属反射层包含铝或铝-钕合金。

另外，优选：所述绝缘反射层由交替地层叠第1绝缘层和第2绝缘层而构成的多层绝缘层构成，所述第1绝缘层具有第1折射率且相对于从所述发光层射出的光显示透光性，第2绝缘层具有比该第1折射率高的第2折射率且相对于从该发光层射出的光显示透光性。

根据本发明，在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中，金属反射膜的可靠性提高。

另外，与在由包含铝的金属构成的金属反射层与透明导电层之间没有设置包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素的金属接触层的情况相比，能够抑制金属反射层的氧化，能够抑制正向电压（Vf）的上升。

附图说明

图1是说明作为半导体发光元件的一例的第1实施方式的平面模式图。

图2是图1所示的半导体发光元件的A-A截面模式图。

图3是说明绝缘反射层的层结构的一例的截面模式图。

图4是说明叠层半导体的一例的截面模式图。

图5是说明半导体发光元件的第2实施方式的截面模式图。

图6是说明半导体发光元件的第3实施方式的截面模式图。

图7是说明作为半导体发光元件中的电极配置的另一例的第4实施方式的平面模式图。

图8是图7所示的半导体发光元件的B-B截面模式图。

图9是说明半导体发光元件的第5实施方式的截面模式图。

图10是说明半导体发光元件的第6实施方式的截面模式图。

图11是说明应用本实施方式的半导体发光装置的一例的截面模式图。

图12是说明应用本实施方式的半导体发光装置的另一例的截面模式图。

附图标记说明