[发明专利]半导体发光元件有效

专利信息
申请号: 201310149497.9 申请日: 2013-04-26
公开(公告)号: CN103378255A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 程田高史 申请(专利权)人: 丰田合成株式会社
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 发光 元件
【权利要求书】:

1.一种半导体发光元件,其特征在于,具有:

叠层半导体层,其层叠有n型半导体层、发光层和p型半导体层;

透明导电层,其层叠在所述叠层半导体层的所述p型半导体层上,且由相对于从所述发光层射出的光显示透光性的金属氧化物构成;

绝缘反射层,其层叠在所述透明导电层上,且设有该透明导电层的一部分露出的多个开口部;

金属反射层,其形成在所述绝缘反射层上和该绝缘反射层的所述开口部内,且由包含铝的金属构成;以及

金属接触层,其至少设置在所述透明导电层的在所述开口部露出的部分与所述金属反射层的形成在该开口部内的部分之间,且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于,

所述金属接触层至少包含从铬、钼以及镍中选出的元素。

3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件,其特征在于,

在所述金属接触层与所述金属反射层之间还具有第1金属层和第2金属层,所述第1金属层包含铝或铝-钕合金,所述第2金属层包含钽或镍。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,

所述金属反射层包含铝或铝-钕合金。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件,其特征在于,

所述绝缘反射层由交替地层叠第1绝缘层和第2绝缘层而构成的多层绝缘层构成,所述第1绝缘层具有第1折射率且相对于从所述发光层射出的光显示透光性,所述第2绝缘层具有比该第1折射率高的第2折射率且相对于从该发光层射出的光显示透光性。

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