[发明专利]电路板、其制作方法以及显示装置有效
申请号: | 201310148643.6 | 申请日: | 2013-04-25 |
公开(公告)号: | CN103280447A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 孙冰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/43;H01L29/41;H01L21/28 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路板 制作方法 以及 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种电路板、其制作方法以及显示装置。
背景技术
近年来,随着科技的发展,液晶显示器技术也随之不断完善。TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管-液晶显示器)以其图像显示品质好、能耗低、环保等优势占据着显示器领域的重要位置。
其中,开口率的大小一直为TFT-LCD产品性能的重要检测指标。为了实现大开口率,一般采用低电阻的叠层结构薄膜作为金属电极。多叠层结构必然造成结构的厚度随之增大,但厚度越大,使得金属线失效的几率越高,这样反而限制了金属的电阻降低,而且高厚度的薄膜在刻蚀后产生的段差使得后续的电极断线现象大幅度增加,严重影响到TFT产品性能,降低了TFT产品的良率。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是提供一种电路板、其制作方法以及显示装置,以克服现有的阵列基板中随着金属薄膜层的加厚而导致良率降低等缺陷。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明一方面提供一种电路板,包括布线和/或具有电极的薄膜晶体管,所述布线的结构和薄膜晶体管的各电极的结构中至少有一种包括:
第一金属层、应力调整层和第二金属层,所述应力调整层位于第一金属层和第二金属层之间,所述第一金属层和应力调整层设置成阶梯状,且第二金属层的端部与所述第一金属层接触。
优选地,所述第一金属层和第二金属层的厚度分别为1000~5000埃。
优选地,所述应力调整层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种,或是上述至少两种薄膜的复合结构。
优选地,所述第一金属层为包括第一金属子层和第一缓冲层的叠层,所述第二金属层包括第二金属子层和第二缓冲层的叠层。
优选地,所述第一金属子层和第二金属子层为低电阻金属。
优选地,所述第一缓冲层和第二缓冲层分别为Mo、Ti、Cr的其中一种或是上述至少两种组成的合金。
优选地,所述第一缓冲层位于第一金属子层的下方,所述第一金属子层贴近所述应力调整层;所述第二缓冲层位于第二金属子层的上方,所述第二金属子层贴近所述应力调整层。
优选地,所述第一金属层和第二金属层结构呈阶梯状。
另一方面,本发明还提供一种包括阵列基板的显示装置,该阵列基板由上述电路板形成。
再一方面,本发明还提供一种制作布线或电极的制作方法,所述方法包括:
在基板上通过构图工艺形成第一金属层的图案;
在完成上述步骤的基础上,通过构图工艺形成应力调整层的图案;
在完成上述步骤的基础上,通过构图工艺形成第二金属层的图案。
(三)有益效果
本发明提供一种电路板、其制作方法以及显示装置,通过在两层金属层之间增设能够降低金属叠层之间应力的应力调整层,且设置第一金属层和应力调整层结构成阶梯状,从而可有效降低金属层的电阻,同时极大地降低了由于金属层厚度造成的后续电极断线的几率,提高产品的良品率。
附图说明
图1为本发明实施例阵列基板中第一金属层和应力调整层示意图;
图2为本发明实施例阵列基板中第一金属层、应力调整层和第二金属层结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明,但不用来限制本发明的范围。
需要注意的是,由于显示装置中的阵列基板是电路板中的其中一种,因此,本实施例以阵列基板为例进行说明,但尽管下面以显示装置中的阵列基板为例进行说明,然而本领域的技术人员应当理解,本发明所公开的布线和电极的设计也可以用于包括布线和/或具有电极的薄膜晶体管的各种电路板。所述布线不限于为栅线、数据线或者公共电极线等布线,也可以是任何可以制作于电路板上的布线。
本发明实施例提供的阵列基板,包括栅极、数据扫描线以及源、漏极,上述结构中至少有一种包括如下结构,本实施例中以栅极为例进行示例性说明。
如图1和图2所示,阵列基板包括玻璃基板1,在玻璃基板1上设置有第一金属层2、应力调整层3和第二金属层4,所述应力调整层3位于第一金属层2和第二金属层4之间,所述第一金属层2和应力调整层3设置成阶梯状且第二金属层4的端部与第一金属层2的端部接触。
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