[发明专利]电路板、其制作方法以及显示装置有效
申请号: | 201310148643.6 | 申请日: | 2013-04-25 |
公开(公告)号: | CN103280447A | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 孙冰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/43;H01L29/41;H01L21/28 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路板 制作方法 以及 显示装置 | ||
1.一种电路板,其特征在于,包括布线和/或具有电极的薄膜晶体管,所述布线的结构和薄膜晶体管的各电极的结构中至少有一种包括:
第一金属层、应力调整层和第二金属层,所述应力调整层位于第一金属层和第二金属层之间,所述第一金属层和应力调整层设置成阶梯状,且第二金属层的端部与所述第一金属层接触。
2.如权利要求1所述的电路板,其特征在于,所述第一金属层和第二金属层的厚度分别为1000~5000埃。
3.如权利要求1所述的电路板,其特征在于,所述应力调整层为氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一种,或是上述至少两种薄膜的复合结构。
4.如权利要求1所述的电路板,其特征在于,所述第一金属层为包括第一金属子层和第一缓冲层的叠层,所述第二金属层包括第二金属子层和第二缓冲层的叠层。
5.如权利要求4所述的电路板,其特征在于,所述第一金属子层和第二金属子层为低电阻金属。
6.如权利要求4所述的电路板,其特征在于,所述第一缓冲层和第二缓冲层分别为Mo、Ti、Cr的其中一种或是上述至少两种组成的合金。
7.如权利要求4所述的电路板,其特征在于,所述第一缓冲层位于第一金属子层的下方,所述第一金属子层贴近所述应力调整层;所述第二缓冲层位于第二金属子层的上方,所述第二金属子层贴近所述应力调整层。
8.如权利要求1所述的电路板,其特征在于,所述第一金属层和第二金属层结构呈阶梯状。
9.一种包括阵列基板的显示装置,其特征在于,所述阵列基板由权利要求1-8任一项所述的电路板形成。
10.一种制作布线或电极的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
在基板上通过构图工艺形成第一金属层的图案;
在完成上述步骤的基础上,通过构图工艺形成应力调整层的图案;
在完成上述步骤的基础上,通过构图工艺形成第二金属层的图案。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的