[发明专利]反应腔室

说明书

技术领域

本发明涉及半导体沉积设备，特别是涉及一种反应腔室。

背景技术

化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)技术广泛用于制备各种半导体薄膜器件，包括微电子芯片、发光二极管(LED)、太阳光伏电池等。化学气相淀积的基本过程是，将源气体从气源引入反应器，气体粒子通过输运(对流和扩散)到达衬底表面，在高温衬底上由于热激发而发生化学反应，从而在晶片上沉积单晶或多晶薄膜。

现有技术的化学气相淀积的反应腔室的结构如图1所示，反应腔室100包括反应室110，用于放置衬底的托盘130，所述托盘130设置于所述反应室110内，喷淋头120设置于所述托盘130的上方，用于向所述托盘130提供反应气体，所述喷淋头120与所述托盘130上表面之间的距离H不超过11mm。但是，现有技术的反应腔室100内的工艺的良率不佳，有待提高。

因此，如何提供一种反应腔室，以提高化学气相淀积工艺的良率，已成为本领域技术人员需要解决的技术难题。

发明内容

现有技术的反应腔室存在反应腔室内的工艺良率不佳的问题，本发明提供一种能解决上述问题的反应腔室。

本发明提供一种反应腔室，包括：

反应室；

托盘，设置于所述反应室内，所述托盘的上表面用于放置衬底；

喷淋头，设置于所述反应室内，并位于所述托盘的上方；

所述喷淋头与所述托盘上表面之间的距离为15mm～100mm，所述喷淋头向所述托盘喷射反应气体以在所述喷淋头与所述托盘上表面之间形成气流，在所述气流周围设置气流调整部件，以控制所述气流为所述托盘供气。

进一步的，所述气流调整部件用于控制所述气流以垂直方向为所述托盘供气。

进一步的，所述气流调整部件为喷气部件，所述喷气部件位于所述喷淋头的外围，所述喷气部件喷射气体，以在所述喷淋头与所述托盘之间的气流外围形成气幕环。

进一步的，所述喷气部件喷射的气体为反应气体。

进一步的，所述喷气部件喷射的气体为非反应气体。

进一步的，所述气流调整部件为上挡板，所述上挡板围绕设置在所述喷淋头的外围，所述上挡板的底部低于所述喷淋头的下表面。

进一步的，所述上挡板的底部低于所述喷淋头的下表面10mm～40mm，且高出所述托盘的上表面。

进一步的，所述气流调整部件为下挡板，所述下挡板围绕设置在所述托盘的外围，所述下挡板的顶部高于所述托盘上表面。

进一步的，所述下挡板的顶部高于所述托盘上表面10mm～30mm，且低于所述喷淋头的下表面。

进一步的，所述下挡板上具有排气孔，所述排气孔的中轴线高于所述托盘上表面1mm～10mm。

进一步的，所述喷淋头的下表面具有若干出气孔，所述出气孔在所述喷淋头的下表面阵列排列。

进一步的，所述反应腔室还包括加热单元，所述加热单元位于所述托盘的下方中央。

进一步的，所述反应室还包括抽气系统，所述抽气系统使得所述喷淋头与所述托盘之间的气体从所述托盘的周围排出。

进一步的，所述抽气系统设置包括与所述托盘与所述反应室侧壁之间形成的排气通道和位于反应室底部的排气孔，所述排气孔与所述排气通道连通。

与现有技术相比，本发明提供的反应腔室具有以下优点：

1.在本发明的反应腔室中，所述喷淋头与所述托盘上表面之间的距离为15mm～100mm，并在所述气流周围设置气流调整部件，与现有技术相比，增加所述喷淋头与所述托盘上表面之间的距离，从而减小了所述喷淋头受所述托盘热辐射的影响，降低了所述喷淋头表面的反应气体的温度，避免反应气体在所述喷淋头表面结合而形成颗粒物质，从而提高反应腔室内工艺反应良率；所述气流调整部件可以控制所述气流为所述托盘供气，避免反应气体无法到达所述托盘，使所述喷淋头与所述托盘上表面之间的气流分布均匀，提高反应气体的利用率。