[发明专利]降低氮化镓缺陷密度的成长方法有效
| 申请号： | 201310146859.9 | 申请日： | 2013-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN104078539B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 綦振瀛;郑隆杰;刘学兴;李庚谚 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 王玉双,鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾南*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 氮化 缺陷 密度 成长 方法 | ||
1.一种降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，包含有以下步骤：
S1：于一基板上依序形成一缓冲成长层以及一应力释放层；
S2：形成一第一纳米覆盖层于该应力释放层上，且该第一纳米覆盖层具有多个连通该应力释放层的开口；
S3：于该些开口处进行一第一岛状体的成长，该第一岛状体具有一相邻于该开口的倾斜壁以及一远离该第一纳米覆盖层并连接该倾斜壁的顶壁；
S4：形成一第一缓冲层于该第一纳米覆盖层及该第一岛状体的表面；
S5：形成一第二纳米覆盖层于该第一缓冲层相应于该顶壁的位置，定义未被该第二纳米覆盖层覆盖的第一缓冲层的位置为一连接成长区；
S6：进行一第二岛状体的成长，其形成于该连接成长区；
S7：形成一第二缓冲层于该第二纳米覆盖层及第二岛状体的表面；
S8：完成一错位岛状结构的成长；及
S9：以该错位岛状结构作为缺陷密度的缓冲结构，将一氮化物半导体层形成于该错位岛状结构上。
2.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该基板的材质选自于由氧化铝、硅、砷化镓、碳化硅及其组合所组成的群组。
3.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该缓冲成长层包含有一低温缓冲成长层以及一高温缓冲成长层，且于步骤S1中，先以600℃～900℃的低温成长该低温缓冲成长层，再以1000℃～1200℃的高温成长该高温缓冲成长层。
4.根据权利要求3所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该低温缓冲成长层及该高温缓冲成长层的材质为氮化铝。
5.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该应力释放层的材质为选自于由氮化镓、氮化铝、氮化铝镓及其组合所组成的群组。
6.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该第一纳米覆盖层及该第二纳米覆盖层的材质为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该第一缓冲层及该第二缓冲层的材质为选自于由氮化铝、氮化铝镓及其组合所组成的群组。
8.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该第一岛状体以及该第二岛状体的材质选自于由氮化镓及氮化铝镓所组成的群组。
9.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该氮化物半导体层的材质选自于由氧化锌、氮化镓、氮化铝、氮化铟、氮化铝镓、氮化铟镓、氮化铝镓铟及其组合所组成的群组。
10.根据权利要求1所述的降低氮化镓缺陷密度的成长方法，其特征在于，该第一纳米覆盖层及该第二纳米覆盖层利用有机金属气相沉积法分别沉积于该应力释放层以及该第一缓冲层上。
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