[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，用于制造FinFET器件，其特征在于，包括如下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成鳍片，以及位于相邻所述鳍片之间的隔离结构；

形成虚设栅极堆栈；

在所述虚设栅极堆栈的侧面上形成第一侧墙；

去除所述虚设栅极堆栈；

形成FinFET的源漏区域；

全面性沉积层间介质层，所述层间介质层完全覆盖所述第一侧墙；

平坦化所述层间介质层，暴露出所述第一侧墙的顶面；

去除所述第一侧墙，形成栅极凹槽；

在所述栅极凹槽中形成栅极堆栈。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述虚设栅极堆栈包括虚设栅极、虚设栅极绝缘层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述虚设栅极堆栈的侧面上形成第一侧墙的步骤具体包括：

沉积预定厚度的第一侧墙材料层，其覆盖所述虚设栅极堆栈的侧面和顶面；

进行回刻蚀工艺，使所述第一侧墙材料层仅保留在所述虚设栅极堆栈的侧面上，从而形成所述第一侧墙。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，在去除所述第一侧墙的步骤中，采用湿法刻蚀或者干法刻蚀去除所述第一侧墙，并且，所述第一侧墙的刻蚀速率与所述层间介质层的刻蚀速率之比大于5:1。

5.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的刻蚀速率与所述层间介质层的刻蚀速率之比大于10:1。

6.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料为氧化硅，氮化硅，高K电介质，多晶硅，非晶硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的线条尺寸小于光刻特征尺寸。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述虚设栅极堆栈的侧面上形成第一侧墙之后，在所述第一侧墙的侧面上形成第二侧墙。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用离子注入或外延工艺形成FinFET的所述源漏区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述层间介质层之前，形成刻蚀停止层。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极堆栈包括高K栅极绝缘层和金属栅极。