[发明专利]X波段高功率微波一体化辐射场测量系统有效
申请号: | 201310143176.8 | 申请日: | 2013-04-22 |
公开(公告)号: | CN103995187A | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 史鹏飞;蒋廷勇;刘小龙;李鹏辉;闫军凯;叶虎;景洪;晏峰 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军63655部队 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08;G01R21/133 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 顾潮琪 |
地址: | 841700 新疆维吾*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波段 功率 微波 一体化 辐射 测量 系统 | ||
1.一种X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,包括天线、波导衰减器、波导同轴转换器、程控衰减器、同轴衰减器、检波器、数字转换器、单板电脑、光纤收发器和监控计算机,其特征在于:高功率微波辐射场信号由天线接收后,经过波导衰减器进行功率衰减,经过波导同轴转换器传输至程控衰减器,再依次经过程控衰减器和同轴衰减器进行功率衰减,由检波器检出高功率微波辐射场信号的包络波形,该包络波形由数字转换器采集后发送给单板电脑,计算出天线所处位置的高功率微波辐射场功率密度值,监控计算机通过光纤收发器对数字转换器的采集波形、温度传感器采集的环境实时温度进行监视;对数字转换器的参数和程控衰减器的衰减量进行控制。
2.根据权利要求1所述的X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,其特征在于:
所述天线所处位置的高功率微波辐射场功率密度值,
W——天线所处位置的高功率微波辐射场功率密度值;
G——天线增益;
Aw——波导衰减器的衰减量;
ILw-c——波导同轴转换器的插入损耗;
Ap——程控衰减器的衰减量;
Ac——同轴衰减器的衰减量;
Pd——检波波形幅度对应的输入功率值;
S——天线有效接收面积。
3.根据权利要求1所述的X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,其特征在于:进入所述波导同轴转换器的信号的平均功率不大于30dBm或峰值功率不大于50dBm。
4.根据权利要求1所述的X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,其特征在于:所述程控衰减器的衰减量按照1dB的步进,在0~11dB范围内连续调节。
5.根据权利要求1所述的X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,其特征在于:所述检波器输入信号频率范围:DC~18GHz,波形输出幅度小于150mV,响应时间小于2ns。
6.根据权利要求1所述的X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,其特征在于:所述数字转换器选用的带宽:500MHz,最高采样率:2GS/s,能够完成对检波器输出波形的不失真采样。
7.根据权利要求1所述的X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,其特征在于:所述的波导同轴转换器、程控衰减器、同轴衰减器、检波器、数字转换器、单板电脑、光纤收发器和温度传感器安装在电磁防护体内,电磁防护体包括壳体和壳盖,壳体为上端开口的长方体空腔,底部外侧有一凸台,凸台顶面尺寸等于波导同轴转换器的法兰端面尺寸,凸台上开一矩形贯通孔,波导同轴转换器的同轴接口一端从壳体外侧插沿矩形贯通孔插入壳体,直到波导同轴转换器的法兰端面同凸台顶面搭接,法兰和凸台沿搭接缝隙进行360°焊接,焊接采用气体保护焊或真空焊接,波导同轴转换器的法兰端面开四个非贯通的螺钉孔,用以和波导衰减器的法兰连接和紧固;壳盖与壳体上端开口吻合,外沿焊有三层铍铜弹簧片,实现壳盖和壳体的良好电接触,壳体上端开口处的边沿高出壳盖1.5cm。
8.根据权利要求1所述的X波段高功率微波一体化辐射场测量系统,其特征在于:用定向耦合器代替波导衰减器,或定向耦合器串接波导衰减器一起使用来完成对高功率微波辐射场信号的衰减。
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