[发明专利]具有集成二极管的二极管触发可控硅整流器

权利要求书

1.一种制造器件结构的方法，所述方法包括：

在第一器件区中形成第一导电类型的第一阱；

在所述第一阱中形成第二导电类型的第一掺杂区；

在所述第一器件区中形成第一可控硅整流器的阴极；以及

在所述第一器件区中形成第一二极管的阴极，

其中所述第一可控硅整流器包括所述第一阱的第一部分以及由所述第一掺杂区的第一部分构成的阳极，以及所述第一二极管包括所述第一阱的第二部分以及由所述第一掺杂区的第二部分构成的阳极。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括：

形成从绝缘体上半导体衬底的器件层的第一部分限定所述第一器件区的多个沟槽隔离区，

其中所述浅沟槽隔离区从所述器件层的顶表面延伸到所述绝缘体上半导体衬底的掩埋绝缘体层。

3.根据权利要求2的方法，进一步包括：

通过所述绝缘体上半导体衬底的所述器件层的第二部分形成第二器件区，

其中所述浅沟槽隔离区中的至少一个隔离所述第二器件区与所述第一器件区。

4.根据权利要求3的方法，进一步包括：

在所述第二器件区中形成第二二极管；以及

串联连接所述第二二极管的阳极与所述第一二极管的所述阴极。

5.根据权利要求2的方法，其中所述浅沟槽隔离区中的至少一个位于所述第一可控硅整流器的所述阴极与所述第一二极管的所述阴极之间。

6.根据权利要求5的方法，进一步包括：

在所述第一器件区中形成所述第二导电类型的第二阱；以及

在所述第二阱中形成所述第一导电类型的第二掺杂区以限定所述第一可控硅整流器的所述阴极，

其中所述第二阱位于所述第一阱与所述第一可控硅整流器的所述阴极之间，并且所述第二阱位于所述第一阱与所述第一掺杂区之间。

7.根据权利要求1的方法，其中所述第一掺杂区和所述第一阱在所述第一器件区中取向为平行对准，并且所述第一掺杂区沿包括所述第一可控硅整流器的结和所述第一二极管的结的界面与所述第一阱相交。

8.根据权利要求7的方法，进一步包括：

围绕不沿所述界面与所述第一阱相交的所述第一掺杂区的周边的一部分形成沟槽隔离区。

9.根据权利要求7的方法，进一步包括：

在所述第一器件区的顶表面上形成覆盖所述第一阱并且具有限定与所述界面对准的边缘的侧壁的掩模特征。

10.根据权利要求1的方法，进一步包括：

在所述第一器件区中形成第二可控硅整流器，所述第二可控硅整流器以共用配置包括所述第一可控硅整流器的所述阳极；以及

并联耦合所述第二可控硅整流器与所述第一可控硅整流器。

11.根据权利要求1的方法，其中所述第一可控硅整流器包括所述第二导电类型的第二阱以及位于所述第二阱中的所述第一导电类型的第二掺杂区，以及所述第二阱至少部分地裹住所述第二掺杂区以限定电阻器。

12.一种器件结构，包括：

第一器件区；

位于所述第一器件区中的第一导电类型的第一阱；

位于所述第一阱中的第二导电类型的第一掺杂区；

位于所述第一器件区中的第一可控硅整流器，所述第一可控硅整流器包括阴极、所述第一阱的第一部分以及由所述第一掺杂区的第一部分构成的阳极；以及

位于所述第一器件区中的第一二极管，所述第一二极管包括阴极、所述第一阱的第二部分以及由所述第一掺杂区的第二部分构成的阳极。

13.根据权利要求12的器件结构，进一步包括：

从绝缘体上半导体衬底的器件层的第一部分限定所述第一器件区的多个沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区从所述器件层顶表面延伸到所述绝缘体上半导体衬底的掩埋绝缘体层。

14.根据权利要求13的器件结构，进一步包括：

由所述绝缘体上半导体衬底的所述器件层的第二部分构成的第二器件区，所述浅沟槽隔离区中的至少一个被定位为隔离所述第二器件区与所述第一器件区。

15.根据权利要求14的器件结构，进一步包括：

位于所述第二器件区中的第二二极管，所述第二二极管包括与所述第一二极管的所述阴极串联连接的阳极。