[发明专利]轧制铜箔

说明书

技术领域

本发明涉及适用于FPC(挠性印刷电路板)等的轧制铜箔。

背景技术

作为FPC(挠性印刷电路板)使用层叠铜箔和树脂层而成的铜箔复合体，该铜箔要求形成电路时的蚀刻性及考虑了FPC的使用的弯曲性。

但是，FPC一般是在铜箔进行了再结晶的状态下使用。在轧制加工铜箔时结晶旋转，形成轧制集合组织，人们认为纯铜的轧制集合组织的被称为Copper取向的{112}<111>为主取向。而且，若在将轧制铜箔轧制后进行退火，或直到加工成最终制品的工序、即形成FPC的工序中施加热，则会发生再结晶。下面将该形成轧制铜箔后的再结晶组织简称为“再结晶组织”，将进行加热前的轧制组织简称为“轧制组织”。另外，再结晶组织很大程度上受轧制组织影响，通过控制轧制组织也能够控制再结晶组织。

由上述情况出发，提出一种在轧制铜箔的再结晶后使{001}<100>的Cube取向发达而提高弯曲性的技术(例如，专利文献1、2)。

专利文献

专利文献1：日本专利第3856616号公报

专利文献2：日本专利第4716520号公报

发明内容

但是，若铜箔的Cube取向过度发达，则存在蚀刻性降低的问题。认为这是因为，Cube集合组织即使发达也不是单晶体，成为在Cube取向的大的晶粒中存在其它取向的小的晶粒的混粒状态，蚀刻速度因各取向的粒子而变化。尤其是电路的L/S宽度变得越窄(微节距)，蚀刻性越成问题。另外，若Cube取向过度发达，则铜箔变得过于柔软，处理性变差。

应予说明，为了调整Cube取向的发达度，有在最终轧制中于再结晶后控制轧制组织的方法，但存在Cube取向不发达或过度发达而不能充分地进行Cube取向的发达度的调整之类的问题。

因此，本发明的目的在于，提供一种蚀刻性和弯曲性均优异的轧制铜箔。

本发明人等发现，在轧制组织的轧制面上，{110}面存在的比例较{112}面存在的比例越多，则铜箔的轧制集合组织越发达，在再结晶退火时Cube取向越发达。由此，为了适当地调整使弯曲性提高但使蚀刻性降低的Cube取向的发达度，控制{112}面和{110}面在铜箔的轧制面上的发达的比例，使轧制铜箔的蚀刻性和弯曲性同时提高获得成功。

即，本发明的轧制铜箔以质量比率计含有99.9％以上的铜，在将轧制面的来自{112}面的计算X射线衍射强度设为I{112}，将来自{110}面的计算X射线衍射强度设为I{110}时，满足2.5≤I{110}/I{112}≤6.0。

本发明的轧制铜箔优选含有总计10～300质量ppm的选自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au的组中的一种或两种以上，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。

本发明的轧制铜箔优选含有2～50质量ppm的氧。

本发明的轧制铜箔优选在200℃进行30分钟的加热后，在轧制面中，满足I{112}≤1.0。

本发明的轧制铜箔优选在350℃加热1秒钟后，在将所述轧制铜箔的轧制面的{200}面的X射线衍射强度设为I{200}、将纯铜粉末试样的{200}面的X射线衍射强度设为I₀{200}时，满足5.0≤1{200}/I₀{200}≤27.0，优选满足13.0≤1{200}/I₀{200}≤27.0。

本发明的轧制铜箔优选厚度为4～70μm。

发明效果

根据本发明，能够获得蚀刻性和弯曲性均优异，能够适用于FPC(挠性印刷电路板)等的轧制铜箔。

附图说明

图1：是示意性地表示用于在铜箔的轧制面上增大{112}面的、在最终再结晶退火中施加于铜箔的张力和铜箔中的Ag量的关系的图；

图2：是分别表示实施例5、比较例2的蚀刻面的光学显微镜像的图；

图3：是表示基准图像和蚀刻性的评价的对应的图。

具体实施方式

下面，对本发明的实施方式涉及的轧制铜箔进行说明。应予说明，在本发明中，所谓％只要没有特别的说明则表示质量％。

<组成>