[发明专利]在半导体结构中消除凸点效应的方法

权利要求书

1.一种在半导体结构中消除凸点效应的方法，其特征在于，所述方法至少包括：

1)提供一经过化学机械研磨平坦化处理过的基片，该基片具有镶嵌导电金属互连结构的第一介电层；

2)分别利用双氧水和中性He等离子体工艺清洗所述基片表面，以去除平坦化处理工艺后的残留颗粒，其中，所述双氧水浓度为0.1％～30wt％，所述He等离子体的流量为300～4000sccm，等离体反应腔的功率为100～1000w，腔内压强为1～7torr；

3)在所述清洗过的基片表面依次形成金属粘附层、第二介电层、第三介电层以及硬掩膜层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所述第一介电层和硬掩膜层的材质为四乙氧基硅烷基体氧化物；所述金属粘附层的材质为含碳的氮化硅；所述第二介电层的材质为超低k介电材料；所述第三介电层的材质为致密低k介电材料。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所述步骤3)之后还包括对所述超低k介电层进行UV固化处理，以形成多孔的超低k介电层。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所述导电金属的材质为金属钨或铜。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于：所述导电金属互连结构为通孔或沟槽。