[发明专利]一种可提高LED发光效率的金属纳米颗粒的制备方法

权利要求书

1.一种制备金属纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

步骤1、在光电器件需要形成金属纳米颗粒的薄膜表面生长金属薄膜；

步骤2、在金属薄膜表面旋涂光刻胶；

步骤3、刻蚀光刻胶，形成光刻胶纳米颗粒；

步骤4、以光刻胶纳米颗粒为掩模，刻蚀所述金属薄膜，形成金属纳米颗粒；

步骤5、去除光刻胶，完成金属纳米颗粒的制备。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光电器件为LED器件，所述需要形成金属纳米颗粒的薄膜包括LED器件的缓冲层、N型层、电子阻挡层和P型层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒生长在所述N型层内部、电子阻挡层内部、P型层内部和P型层表面。

4.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤3中，利用氧等离子体方式刻蚀所述光刻胶。

5.如权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，步骤4中，采用各向异性干法刻蚀所述金属薄膜。

6.一种在LED器件上制备金属纳米颗粒的方法，包括以下步骤：

步骤1、在蓝宝石衬底上生长LED基本器件结构，依次生长包括缓冲层102、N型GaN层103、GaN量子阱104、电子阻挡层105和P型GaN层106；

步骤2、在所述P型GaN层106表面生长金属薄膜107；

步骤3、在所述金属薄膜107表面旋涂光刻胶108；

步骤4、利用氧等离子体刻蚀光刻胶108，形成光刻胶纳米颗粒109；

步骤5、以光刻胶纳米颗粒109为掩模，通过各向异性干法刻蚀所述金属薄膜107，形成金属纳米颗粒110；

步骤6、去除光刻胶，完成金属纳米颗粒的制备。