[发明专利]一种低成本高集成度的射频集成电路器件

权利要求书

1.一种低成本高集成度的射频集成电路器件，其特征在于：包括相互配合的射频集成电路芯片（1）、输出阻抗匹配电路（2）、封装载体（3），其中，射频集成电路芯片（1）的输入端接外部射频输入信号，输出端接输出阻抗匹配电路（2）的输入端，输出阻抗匹配电路（2）的输出端接外部电路，封装载体（3）为射频集成电路芯片（1）和输出阻抗匹配电路（2）提供与射频集成电路器件外部电路进行电气连接的引脚，且所述的输出阻抗匹配电路（2）的工作频率范围（A）小于或等于射频集成电路芯片（1）的工作频率范围（B）。

2.如权利要求1所述的一种低成本高集成度的射频集成电路器件，其特征在于：所述的射频集成电路芯片（1）为射频功率放大器（1a），其包括：射频输入端（1a-1）、输入匹配电路（1a-2）、第一级放大电路（1a-3）、级间匹配电路（1a-4）、第二级放大电路（1a-5）、射频输出端（1a-6）以及有源偏置电路（1a-7）、直流电源输入端（1a-8）、参考电源输入端（1a-9）；其中，输入匹配电路（1a-2）接收射频集成电路器件外部的射频输入信号，并将射频集成电路器件外部的阻抗匹配到射频功率放大器（1a）的第一级放大电路（1a-3）的输入端，输入阻抗匹配电路（1a-2）的输出端接第一级放大电路（1a-3）的输入端，第一级放大电路（1a-3）的输出端接级间匹配电路（1a-4）的输入端，级间匹配电路（1a-4）的输出端接第二级放大电路（1a-5）的输入端，第二级放大电路（1a-5）的输出端接射频输出端（1a-6）；有源偏置电路（1a-7）一端接参考电源输入端（1a-9），另一端两引脚分别接输入匹配电路（1a-2）和第一级放大电路（1a-3）的结点以及级间匹配电路（1a-4）和第二级放大电路（1a-5）的结点，为第一级放大电路（1a-3）和第二级放大电路（1a-5）提供有源偏置电压和电流，直流电源输入端（1a-8）接第一级放大电路（1a-3）和第二级放大电路（1a-5）提供直流电源。

3.如权利要求1所述的一种低成本高集成度的射频集成电路器件，其特征在于：所述的输出阻抗匹配电路（2），包括输入端（21）、输出端（22）、选择支路（23）以及公共支路（24），所述的选择支路（23）具有多个选择端（231）和一个公共端（232），所述的公共支路（24）具有第一端（241）和第二端（242）两个连接端，所述的选择支路（23）的任意一个或多个选择端（231）连接输出阻抗匹配电路（2）的输入端（21）或输出端（22），选择支路（23）的公共端（232）和公共支路（24）的第一端（241）连接，公共支路（24）的第二端（242）连接输出阻抗匹配电路（2）的输出端（21）或输入端（22）。

4.如权利要求3所述的一种低成本高集成度的射频集成电路器件，其特征在于：所述的选择性支路（23）以及公共支路（24）由不同取值的电感及电容配合构成。

5.如权利要求1所述的一种低成本高集成度的射频集成电路器件，其特征在于：所述的输出阻抗匹配电路（2）具有前端选择支路（25）及后端选择支路（26），所述的输出阻抗匹配电路（2）的输入端（21）接前端选择支路（25）的任意一个或多个选择端（251），前端选择支路（25）的公共端（251）接公共支路（27）的第一端（271），公共支路（27）的第二端（272）接后端选择支路（26）的公共端（262），后端选择支路（26）的任意一个或多个选择端（261）接输出阻抗匹配电路（2）的输出端（22）。

6.如权利要求5所述的一种低成本高集成度的射频集成电路器件，其特征在于：所述的前端选择性支路（25）、后端选择性支路（26）以及公共支路（27）由不同取值的电感及电容配合构成。

7.如权利要求1所述的一种低成本高集成度的射频集成电路器件，其特征在于：所述的射频集成电路器件的封装载体(3)为引线框（3-1）的形式，输出阻抗匹配电路(2)为集成无源器件(2-1),其中，射频集成电路芯片（1）和集成无源器件（2-1）放置于封装载体（3-1）的引线框载片台（3-2）上，射频集成电路器件的输入引脚（4-1）经第一键合线或线组（4-2）连接到射频集成电路芯片（1）的焊盘（1-1）上，射频集成电路芯片（1）的输出信号焊盘（1-2）经第二键合线或线组（4-3）连接到集成无源器件（2-1）的焊盘（2-1-1）上输入信号，集成无源器件（2-1）的焊盘（2-1-2）通过第三键合线或线组（4-4）与射频集成电路器件的引脚（4-5）连接输出信号，第四、第五和第六键合线或线组（4-6）、（4-7）、（4-8）连接射频集成电路芯片（1）和封装载体（3-1）的引脚（3-1-1）为射频集成电路芯片（1）提供电源供电或接地等电气连接。