[发明专利]一种低电压跟随的电压基准电路有效
申请号: | 201310129074.0 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN103235625A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 李兆桂 | 申请(专利权)人: | 无锡普雅半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214102 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 跟随 基准 电路 | ||
技术领域
本发明涉及模拟电源技术领域,尤其涉及一种基准电压电路结构,具体为一种低电压跟随的电压基准电路。
背景技术
通常,基准电压随电源电压变化的系数较小,但在某些特定应用场合却不一定合适,如作为存储器读灵敏放大器的位线限制电压Vlim,如图1所示,当需要同时对两位存储单元进行读取操作并对读取电流进行比较时,在电源VDD的电源电压比较低的情况下,由于采用PMOS镜像电路结构,造成其中二极管接法的一路的位线BLA的电压被PMOS管的阈值电压压低至(VDD-Vtp),而另一路BLB则仍然可以获得较高电压,两位存储单元的读取条件不一样。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种低电压跟随的电压基准电路,其能够提供一个在较低电源电压下输出电压跟随电源电压,而在较高电源电压下输出电压跟随参考电压的基准电压。
其技术方案是这样的:一种低电压跟随的电压基准电路,其特征在于,其包括第一PMOS管,第二PMOS管,所述第一PMOS管的栅端分别与所述第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的栅端连接,所述第一PMOS管的源端连接电源VDD、漏端连接第三NMOS管的漏端,所述第三NMOS管的栅端连接参考电压Vref,所述第二PMOS管的源端连接所述电源VDD、漏端连接第四NMOS管的漏端,所述第四NMOS管的栅端、漏端相连后连接电压输出端,所述第三、第四NMOS管的源端相连后连接偏置电流源一端,所述偏置电流源另一端连接地GND。
采用本发明的结构后,第一PMOS管的漏端连接第三NMOS管的漏端,第三NMOS管的栅端连接参考电压Vref,第二PMOS管的漏端连接第四NMOS管的漏端,第四NMOS管的栅端、漏端相连后连接电压输出端,第三、第四NMOS管的源端相连后连接偏置电流源一端,获得的电压输出端的Vlim电压能够在较低电源电压下跟随电源电压,而电源电压较高的情况下跟随参考电压Vref, 从而应用于图1电路中能够使得BLA和BLB的电压值保持相同,克服了现有技术中两路电压不相同的缺陷。
其进一步应用电路的特征在于,所述电压输出端与所述偏置电流源之间的电路上设置有与所述第四NMOS管串联连接的额外的NMOS管,所述额外的NMOS管的栅端与漏端相连;所述第一、第二PMOS管相同,所述第三、第四NMOS管相同,上述电路在于调整输出电压端Vlim电压值。
附图说明
图1为本发明应用场合;
图2为本发明电路图;
图3为本发明加入额外的NMOS管后的电路图;
图4为NMOS管和PMOS管示意图。
具体实施方式
见图2所示,一种低电压跟随的电压基准电路,其包括第一PMOS管M1,第二PMOS管M2,第一PMOS管M1的栅端分别与第一PMOS管M1的漏端、第二PMOS管M2的栅端连接,第一PMOS管M1的源端连接电源VDD、漏端连接第三NMOS管M3的漏端,第三NMOS管M3的栅端连接参考电压Vref,第二PMOS管M2的源端连接电源VDD、漏端连接第四NMOS管M4的漏端,第四NMOS管M4的栅端、漏端相连后连接电压输出端,第三、第四NMOS管M3、M4的源端相连后连接偏置电流源Ibias一端,偏置电流源Ibias另一端连接地GND,见图4所示,其为图1、图2、图3中NMOS管和PMOS管的源端、栅端、漏端示意图。
其工作原理如下所述:假设第一、第二NMOS管M1、M2的阈值电压为Vtp,第三、第四NMOS管M3、M4的阈值电压为Vtn,电源VDD的电源电压为Vd,当电源电压Vd<(Vref-Vtn+Vtp)时,第三NMOS管M3充分导通,Vsource=(Vd-Vtp),第二PMOS管M2、第四NMOS管M4两端电压为(Vsourc-Vd)=Vtp,第二PMOS管M2两端的电压为(Vtp-Vtn),因此第二PMOS管M2处于亚阈值工作状态,Vlim=Vd;当Vd≥(Vref-Vtn+Vtp)时,Vsource=(Vref-Vtn),Vlim=(Vref-Vtn+Vtn)=Vref,即实现了在较低电源电压Vd下输出电压端Vlim电压跟随电源电压Vd,而在较高电源电压Vd下输出电压端Vlim电压跟随参考电压Vref。
如图3所示,实际应用中,电压输出端与偏置电流源Ibias之间的电路上可以设置有与第四NMOS管M4串联连接的额外的NMOS管,即第五NMOS管M5,第五NMOS管M5的栅端与漏端相连,其用以调整Vlim电压值,设第五NMOS管M5的阈值电压为Vtn1,当电源电压Vd<(Vref-Vtn+Vtp)时,第三NMOS管M3充分导通,Vsource=(Vd-Vtp),第二PMOS管M2、第五NMOS管M5两端电压为(Vsourc-Vd)=Vtp,第二PMOS管M2两端的电压为(Vtp-Vtn-Vtn1),第二PMOS管M2仍处于亚阈值工作状态,Vlim=Vd;当Vd≥(Vref-Vtn+Vtp)时,Vsource=(Vref-Vtn),Vlim=(Vref-Vtn+Vtn+Vtn1)=(Vref+Vtn1)。
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