[发明专利]一种低电压跟随的电压基准电路有效
申请号: | 201310129074.0 | 申请日: | 2013-04-15 |
公开(公告)号: | CN103235625A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
发明(设计)人: | 李兆桂 | 申请(专利权)人: | 无锡普雅半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214102 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 跟随 基准 电路 | ||
1.一种低电压跟随的电压基准电路,其特征在于,其包括第一PMOS管,第二PMOS管,所述第一PMOS管的栅端分别与所述第一PMOS管的漏端、第二PMOS管的栅端连接,所述第一PMOS管的源端连接电源VDD、漏端连接第三NMOS管的漏端,所述第三NMOS管的栅端连接参考电压Vref,所述第二PMOS管的源端连接所述电源VDD、漏端连接第四NMOS管的漏端,所述第四NMOS管的栅端、漏端相连后连接电压输出端,所述第三、第四NMOS管的源端相连后连接偏置电流源一端,所述偏置电流源另一端连接地GND。
2.根据权利要求1所述的一种低电压跟随的电压基准电路,其特征在于,所述电压输出端与所述偏置电流源之间的电路上设置有与所述第四NMOS管串联连接的额外的NMOS管,所述额外的NMOS管的栅端与漏端相连。
3.根据权利要求1或2所述的一种低电压跟随的电压基准电路,其特征在于,所述第一、第二PMOS管相同,所述第三、第四NMOS管相同。
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