[发明专利]芯片封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种芯片封装结构及其制造方法，且特别是有关于一种硅微机电麦克风(silicon MEMS microphone)芯片封装结构及其制造方法。

背景技术

一般微机电麦克风封装件是将微机电麦克风芯片与其他芯片例如特定应用集成电路(ASIC)、读取集成电路芯片等配置在单一个基板，并利用具有容置空间的遮罩遮蔽所有的芯片。其中不同的芯片是利用打线(trace)彼此电性连接。然而，此微机电麦克风封装件具有大的尺寸，因此不利于应用至微型装置，使用价值与弹性受到限制。

发明内容

本发明有关于一种芯片封装结构及其制造方法。芯片封装结构具有微小的尺寸。

根据一实施例，提出一种芯片封装结构，其包括一基板、一电声波芯片(acoustic transducer chip)、一盖结构(cap)与一封胶体。基板具有相对的一第一基板表面、一第二基板表面与一声孔。第一基板表面上具有一线路层。电声波芯片配置在基板的第一基板表面上，并电性连接至线路层。电声波芯片的一主动面是朝向声孔。盖结构配置在基板的第一基板表面上，并具有一容置空间用以容置电声波芯片。封胶体包覆盖结构与盖结构外侧的线路层。基板与封胶体其中之一具有数个导电穿孔。导电穿孔直接与线路层接触，且经由线路层电性连接至电声波芯片。

根据一实施例，提出一种芯片封装结构，其包括一基板、一电声波芯片与一遮罩。基板具有相对的一第一基板表面、一第二基板表面、一声孔与数个延伸在第一基板表面与第二基板表面之间的导电穿孔。第一基板表面上具有一线路层电性连接至导电穿孔。电声波芯片配置在基板的第一基板表面上，并电性连接至线路层。电声波芯片的一主动面是朝向声孔。遮罩配置在基板的第一基板表面上，并具有一容置空间用以容置电声波芯片。

根据一实施例，提出一种芯片封装结构的制造方法，其包括以下步骤。提供一基板。基板具有相对的一第一基板表面、一第二基板表面与一声孔。第一基板表面上具有一线路层。配置一电声波芯片在基板的第一基板表面上，并电性连接至线路层。电声波芯片的一主动面是朝向声孔。配置一盖结构在基板的第一基板表面上，并具有一容置空间用以容置电声波芯片。利用一封胶体包覆盖结构与盖结构外侧的线路层。在基板与封胶体其中之一中形成数个导电穿孔。导电穿孔直接与线路层接触，且经由线路层电性连接至电声波芯片。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示根据一实施例中的芯片封装结构。

图2绘示根据一实施例中芯片封装结构的上视示意图。

图3绘示根据一实施例中的芯片封装结构。

图4绘示根据一实施例中芯片封装结构的上视示意图。

图5绘示根据一实施例中芯片封装结构的上视示意图。

图6绘示根据一实施例中的芯片封装结构。

图7绘示根据一实施例中的芯片封装结构。

图8绘示根据一实施例中的芯片封装结构。

图9A至图9J绘示根据一实施例的芯片封装结构的制造方法。

图10A至图10F绘示根据一实施例的芯片封装结构的制造方法。

图11A至图11D绘示根据一实施例的芯片封装结构的制造方法。

图12A至图12D绘示根据一实施例的芯片封装结构的制造方法。

符号说明：

102、202、302、402、502～芯片封装结构；104～基板；106～电声波芯片；108～盖结构；110～封胶体；112～第一基板表面；114～第二基板表面；116～线路层；118～绝缘层；120、121～开口；122～声孔；124～主动面；126～导电垫；128～导电凸块；130～振膜；132～共振腔室；134、134A～导电胶；138、138A～容置空间；140、140A、140B～导电穿孔；142～表面；144、144A～导电垫；146、146A～焊料球；147～上表面；148、150、150A、150B～导线；152～遮罩；154～容置空间；156、156A、156B～穿孔。

具体实施方式

请参照图1，其绘示根据一实施例中芯片封装结构102，包括一基板104、一电声波芯片(acoustic transducer chip)106、一盖结构(cap)108与一封胶体110。