[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造方法，特别涉及柱电极的形成方法。

背景技术

近年来，随着便携电话以及数码相机等电子设备的小型化，强烈要求使在电子设备中所搭载的半导体装置的尺寸缩小。特别是，晶片级芯片尺寸封装（WL－CSP）能够使封装尺寸缩小到芯片尺寸，此外，还正在研究在密封树脂内安装有部件的WL－CSP。

例如，专利文献1（日本特开2002－299496号公报）公开了一种半导体装置的制造方法，具有如下工序：形成将铜（Cu）层重叠为两级而成的柱电极；在密封树脂内安装作为部件的电容器部。在专利文献1的柱电极的形成中，如图1的流程图所示，（A）作为用于形成第一层Cu层的步骤，在半导体晶片上的导电膜上形成第一层抗蚀剂膜（步骤S101），利用曝光以及显影处理形成孔（步骤S102、S103），利用电镀处理形成第一层Cu层（步骤S104），除去第一层抗蚀剂膜（步骤S105），对第一层Cu层进行暂时密封（步骤S106），对第一层Cu层以及暂时密封层进行CMP（化学机械研磨）处理（步骤S107）；（B）作为用于形成第二层Cu层的步骤，形成第二层抗蚀剂膜（步骤S108），利用曝光以及显影处理形成孔（步骤S109、S110），利用电镀处理形成第二层Cu层（步骤S111），除去第二层抗蚀剂膜（步骤S112），对第二层Cu层进行暂时密封（步骤S113），对第二层Cu层以及暂时密封层进行CMP处理（步骤S114）；（C）作为用于搭载部件的步骤，除去暂时密封层（步骤S115），形成电容器部（步骤S116），利用绝缘层进行密封（步骤S117），对电容器部以及绝缘层进行CMP处理（步骤S118），形成电极以及焊料凸起（步骤S119）。

专利文献1：日本特开2002－299496号公报。

在专利文献1所记载的制造方法中，在形成第一层以及第二层Cu层的步骤的每一个中，需要进行抗蚀剂膜的除去、Cu层的暂时密封以及CMP处理，所以，存在制造工艺非常复杂这样的问题。

另外，在专利文献1所述的制造方法中，第一层暂时密封层和第二层抗蚀剂膜的边界位置与第一层和第二层Cu层的接合位置一致。此外，在第一层暂时密封层和第二层抗蚀剂膜的边界位置，在由第一层和第二层Cu层构成的Cu柱电极的侧面容易产生在圆周方向延伸的环状的隆起部。因此，在专利文献1所述的制造方法中，在与机械强度比较弱的Cu层的接合位置相同的位置形成有Cu柱电极的隆起部，由于基板的翘曲等而产生的内部应力作用于隆起部，存在Cu柱电极脱落或者在接合部折断的不良品产生的频度增加的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种能够实现制造工艺简化以及不良品产生率降低的半导体装置的制造方法。

本发明提供一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在基板上贴附第一光致抗蚀剂干膜，形成在厚度方向上贯通所述第一光致抗蚀剂干膜的第一孔，利用电镀处理在所述第一孔内形成第一柱电极；在所述第一光致抗蚀剂干膜的上表面上重叠贴附第二光致抗蚀剂干膜，形成在厚度方向上贯通所述第二光致抗蚀剂干膜并且与所述第一孔连接的第二孔，利用电镀处理在所述第一柱电极上形成第二柱电极，在形成所述第一柱电极的工序中，以所述第一柱电极的上表面比所述第一光致抗蚀剂干膜的所述上表面低的方式进行所述第一柱电极的形成。

根据本发明的半导体装置的制造方法，能够实现制造工艺的简化以及不良品产生率的降低。

附图说明

图1是表示现有例的柱电极的形成方法的流程图。

图2是表示比较例的半导体装置的制造方法的流程图。

图3（a）～（i）是表示比较例的半导体装置的制造方法的工序的概略剖视图（其1）。

图4（a）～（d）是表示比较例的半导体装置的制造方法的工序的概略剖视图（其2）。

图5是表示比较例的半导体装置的概略剖视图。

图6是表示本发明实施方式1的半导体装置的制造方法的流程图。

图7（a）～（e）是表示实施方式1的半导体装置的制造方法的工序的概略剖视图（其1）。

图8（a）～（d）是表示实施方式1的半导体装置的制造方法的工序的概略剖视图（其2）。

图9（a）～（c）是表示实施方式1的半导体装置的制造方法的工序的概略剖视图（其3）。

图10（a）是表示比较例的纵横比的图，（b）以及（c）是表示实施方式1的纵横比的图。