[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201310126561.1 | 申请日： | 2013-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN103426775B | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 小池理 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 闫小龙,李浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：
在基板上贴附第一光致抗蚀剂干膜，形成在厚度方向上贯通所述第一光致抗蚀剂干膜的第一孔，利用电镀处理在所述第一孔内形成第一柱电极；以及
在所述第一光致抗蚀剂干膜的上表面上重叠贴附第二光致抗蚀剂干膜，形成在厚度方向上贯通所述第二光致抗蚀剂干膜并且与所述第一孔连接的第二孔，利用电镀处理在所述第一柱电极上形成第二柱电极，
在形成所述第一柱电极的工序中，以所述第一柱电极的上表面比所述第一光致抗蚀剂干膜的所述上表面低的方式进行所述第一柱电极的形成，
所述第一柱电极和所述第二柱电极为相同材料。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第二柱电极的工序中，以所述第二柱电极的上表面比所述第二光致抗蚀剂干膜的上表面高的方式进行所述第二柱电极的形成。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有如下工序：
将所述第二光致抗蚀剂干膜以及所述第一光致抗蚀剂干膜除去；
在所述基板上安装电子部件；
利用模塑树脂对所述电子部件以及由所述第一柱电极和所述第二柱电极构成的柱电极进行密封；
利用CMP法对被所述模塑树脂密封的结构体进行研磨。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在进行所述研磨的工序后，所述第二柱电极的长度比所述第一柱电极的长度长。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
以重叠多个所述第一光致抗蚀剂干膜的方式重复进行多次形成所述第一柱电极的工序，
然后，执行形成所述第二柱电极的工序。
6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第一柱电极的工序中，
多个所述第一柱电极同时形成，
多个所述第一柱电极以多个所述第一柱电极的各上表面比所述第一光致抗蚀剂干膜的所述上表面低的方式形成。
7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在形成所述第二柱电极的工序中，
多个所述第二柱电极同时形成，
多个所述第二柱电极以多个所述第二柱电极的各上表面比所述第二光致抗蚀剂干膜的所述上表面高的方式形成。
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