[发明专利]一种提高薄膜电致发光器件稳定性的方法无效

专利信息
申请号: 201310126101.9 申请日: 2013-04-11
公开(公告)号: CN103333355A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 王洪哲;陶景;申怀彬;李林松 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: C08J7/04 分类号: C08J7/04;H01L51/54
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 475001 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 薄膜 电致发光 器件 稳定性 方法
【权利要求书】:

1.一种利用简单酸钝化处理量子点薄膜电致发光器件中的聚3,4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)有机聚合膜来提高薄膜电致发光器件稳定性的方法,其特点在于包括以下步骤:

    首先向涂覆于ITO玻璃上的PEDOT:PSS膜(经160 ℃真空干燥处理)上滴加一定浓度的无机酸,然后立即以3000 rpm的转速旋涂1分钟,接着在160 ℃的真空干燥箱中干燥5~10分钟;此后仍然采用悬涂的方式用去离子水对膜进行三次润洗,每次润洗滴加的去离子水的量约可铺满整个膜的三分之二即可,最后在烘箱中再干燥5~10分钟;得到酸处理的PEDOT:PSS膜后,再在上面悬涂聚三苯胺(Poly-TPD)、发光量子点(QDs),最后真空蒸镀一层Al就得到了具有一定空气稳定性的量子点发光二极管(QD-LED)或在量子点与Al电极之间旋涂一层氧化锌(ZnO),得到以ZnO为电子传输层的QD-LED器件。

2.根据权利要求1所述的提高薄膜电致发光器件稳定性的方法,其特点在于用于处理 PEDOT:PSS膜的无机酸包括硫酸、盐酸、硝酸等。

3.根据权利要求1所述的提高薄膜电致发光器件稳定性的方法,其特点在于发光层的材料包括II-VI族、III-V族及I-III-VI2族等半导体纳米晶或核-壳结构半导体纳米晶。

4.根据权利要求1所述的提高薄膜电致发光器件稳定性的方法,其特点在于电荷传输材料可以是有机材料,包括Poly-TPD,TFB,PVK等,也可以是无机纳米材料,包括ZnO,TiO2,MoO3等。

5.根据权利要求1所述的提高薄膜电致发光器件稳定性的方法,其特点在于适用于旋涂、印刷、热转运、真空蒸镀等多种膜层制备方式制得的薄膜电致发光器件。

6.根据权利要求1所述的提高薄膜电致发光器件稳定性的方法,其特点在于制备得到的薄膜发光器件在无封装情况下,经空气中放置18天后发光效率仍能维持原有效率的75%以上。

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