[发明专利]输出缓冲器

权利要求书

1.一种输出缓冲器，包含：

一输入输出端；

一第一电压源；

一第一晶体管，包含：

一第一端，耦接于该输入输出端；

一第二端，耦接于该第一电压源；及

一控制端，耦接于该第一电压源；及

一第二晶体管，包含：

一第一端，耦接于该输入输出端；

一第二端，耦接于该第一电压源；及

一控制端，耦接于该第一电压源；

其中该第一晶体管的控制端与该第二晶体管的控制端的布局方向是实质上相垂直，且该第一晶体管的击穿电压是高于该第二晶体管的击穿电压。

2.根据权利要求1所述的输出缓冲器，其中该第一晶体管与该第二晶体管形成一缓冲电路。

3.根据权利要求1所述的输出缓冲器，其中该第一晶体管与该第二晶体管形成一静电放电电路。

4.根据权利要求1所述的输出缓冲器，其中该第一晶体管为一第一N型金属氧化物半导体晶体管，该第一晶体管的第一端为该第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极，该第一晶体管的第二端为该第一N型金属氧化物半导体晶体管的源极，该第一晶体管的控制端为该第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，该第二晶体管为一第二N型金属氧化物半导体晶体管，该第二晶体管的第一端为该第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极，该第二晶体管的第二端为该第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极，该第二晶体管的控制端为该第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极，该第一电压源为一低电压源。

5.根据权利要求1所述的输出缓冲器，其中该第一晶体管为一第一P型金属氧化物半导体晶体管，该第一晶体管的第一端为该第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，该第一晶体管的第二端为该第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极，该第一晶体管的控制端为该第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，该第二晶体管为一第二P型金属氧化物半导体晶体管，该第二晶体管的第一端为该第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，该第二晶体管的第二端为该第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极，该第二晶体管的控制端为该第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极，该第一电压源为一高电压源。

6.根据权利要求1所述的输出缓冲器，其中该第一晶体管的第一端与该输入输出端之间的阻值是小于该第二晶体管的第一端与该输入输出端之间的阻值。

7.根据权利要求1所述的输出缓冲器，还包含：

一第三晶体管，包含：

一第一端，耦接于该输入输出端；

一第二端，耦接于该第一电压源；及

一控制端，耦接于该第一电压源；

一第四晶体管，包含：

一第一端，耦接于该输入输出端；

一第二端，耦接于该第一电压源；及

一控制端，耦接于该第一电压源；

其中该第一晶体管的控制端与该第三晶体管的控制端的布局方向是实质上相同，且该第二晶体管的控制端与该第四晶体管的控制端的布局方向是实质上相同，且该第三晶体管的击穿电压是高于该第四晶体管的击穿电压。

8.根据权利要求7所述的输出缓冲器，其中该第一晶体管与该第二晶体管形成一静电放电电路，且该第三晶体管与该第四晶体管形成一缓冲电路。