[发明专利]自清洁釉料及其制备工艺、搪瓷的制作工艺

权利要求书

1.一种自清洁釉料，其特征在于，包括有按重量比计的如下成分：

长石，5-10%；

石英，5-10%；

氧化钴，1-3%；

氢氧化铝，20-30%；

二氧化锰，2-8%；

粘土，5-10%；

瓷釉，50-70%；和

氧化钛，2-5%。

2.根据权利要求1所述的自清洁釉料，其特征在于，所述瓷釉包括萤石和钴镍低温瓷釉。

3.根据权利要求2所述的自清洁釉料，其特征在于，所述萤石的重量占所述自清洁釉料的重量的10-20%（重量比）。

4.根据权利要求2所述的自清洁釉料，其特征在于，所述钴镍低温瓷釉的重量占所述自清洁釉料的重量的40-50%（重量比）。

5.一种自清洁釉料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

a）称取预定重量的根据权利要求1-4中任一项所述的自清洁釉料；

b）将所述预定重量的自清洁釉料置于研磨机中研磨预定时间；和

c）得到釉浆。

6.根据权利要求5所述的自清洁釉料的制备工艺，其特征在于，所述研磨机为容量1吨的球磨机。

7.根据权利要求5所述的自清洁釉料的制备工艺，其特征在于，所述预定时间为4小时至6小时。

8.根据权利要求7所述的自清洁釉料的制备工艺，其特征在于，所述预定时间为5小时。

9.一种搪瓷的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）将根据权利要求5-8中任一项所述的自清洁釉料的制备工艺所制得的釉浆加压喷涂到经过湿法底釉烧成后的搪瓷半成品上以形成预定厚度的面釉；

2）对具有所述预定厚度的面釉的搪瓷半成品进行烘干；和

3）将经烘干的具有所述预定厚度的面釉的搪瓷半成品在预定温度下烧成预定时间。

10.根据权利要求9所述的搪瓷的制作工艺，其特征在于，采用压力罐对所述釉浆进行加压。

11.根据权利要求10所述的搪瓷的制作工艺，其特征在于，所述预定厚度为350微米至450微米。

12.根据权利要求11所述的搪瓷的制作工艺，其特征在于，所述预定厚度为400微米。

13.根据权利要求10所述的搪瓷的制作工艺，其特征在于，所述预定温度为810摄氏度至910摄氏度。

14.根据权利要求13所述的搪瓷的制作工艺，其特征在于，所述预定温度为860摄氏度。

15.根据权利要求10所述的搪瓷的制作工艺，其特征在于，所述预定时间为3分钟至4分钟。

16.根据权利要求15所述的搪瓷的制作工艺，其特征在于，所述预定时间为3.5分钟。