[发明专利]电子装置

说明书

本申请是国际申请日为2009年5月18日、申请号为200980119954.1、发明名称为“电子装置”且申请人为欧司朗光电半导体有限公司的发明专利申请的分案申请。

本专利申请要求德国专利申请102008025920.9和德国专利申请102008039361.4的优先权，其公开内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及一种电子装置和一种用于制造电子装置的方法。

背景技术

电子装置、例如有机发光二极管（OLED）由多个功能有机层的序列构成。在此，发射层具有以发射分子掺杂的基质材料。在发射层中，通过电子和“空穴”的复合形成导致发光的激子。为了得到电子装置的高效率，在发射层中传输的电子和“空穴”之间的比例是决定性的。在空穴传输和电子传输之间的不平衡的比例导致该装置的辐射效率低。

发明内容

本发明的任务是，提供一种电子装置，其具有在有机层中的改进的载流子传输和改进的载流子平衡，并且由此具有提高的效率。本发明的另一任务是提供一种用于制造电子装置的方法。这些任务通过根据本发明的实施例的用于制造电子装置的方法来解决。该装置和方法的其他实施形式是其他权利要求的主题。

根据一个实施形式，提供了一种电子装置，其包括衬底、第一电极、至少一个有机功能层和第二电极，其中所述至少一个有机功能层设置在第一电极和第二电极之间。例如，第一电极可以设置在衬底上，所述至少一个有机功能层设置在第一电极上，并且第二电极设置在所述至少一个有机功能层上。所述至少一个有机功能层具有至少一个第一基质材料、第二基质材料和第三基质材料，其中第三基质材料具有的最低未占分子轨道（LUMO）在能量上低于第二基质材料的LUMO和第一基质材料的LUMO，并且其中第二基质材料具有的最高占用分子轨道（HOMO）在能量上高于第一基质材料的HOMO和第三基质材料的HOMO，第一基质材料具有如下LUMO：该LUMO在能量上高于第二基质材料的LUMO和第三基质材料的LUMO，并且具有如下的HOMO：该HOMO在能量上低于第二基质材料的HOMO和第三基质材料的HOMO。由此，提供了一种电子装置，其在有机功能层中包括多于两种不同的基质材料。在此，可以存在三种不同的基质材料，根据要求也可以多于三种。

根据分子轨道理论，在分子中存在具有不同能级的不同的分子轨道,这些轨道可以被存在的电子占用。这些分子轨道可以按照增加的能级被占用。LUMO是不再以电子占用的、能量上最低的分子轨道。HOMO是仍然以电子占用的、能量上最高的分子轨道。

该电子装置在有机功能层中具有改进的载流子传输和改进的载流子平衡，并且该电子装置具有在空穴传输和电子传输之间的相适应的比例。第一基质材料在此选择为使得其具有大的带隙，即在HOMO和LUMO之间的差，例如使得其HOMO在能量上在另外的两种基质材料的HOMO以下，并且其LUMO在能量上在另外的两种基质材料的LUMO以上。

此外，在该电子装置中，第二基质材料可以具有如下的LUMO：该LUMO在能量上高于第三基质材料的LUMO，以及具有如下的HOMO：该HOMO在能量上高于第三基质材料的HOMO。由此，第一基质材料可以具有与第二基质材料和第三基质材料相比更大的在HOMO和LUMO之间的带隙，并且第二基质材料具有在能量上朝着第三基质材料的带隙推移的带隙。由此，可以在第三基质材料的LUMO上传输电子，并且在第二基质材料的HOMO上传输空穴，因为这些能级对于相应的电荷传输在能量上分别是最有利的。

在该电子装置中,第一基质材料可以具有载流子迁移率，该载流子迁移率小于第二基质材料和第三基质材料的载流子迁移率。第一基质材料可以是超宽带隙（UGH）材料，该材料具有与其他基质材料相比大的带隙。由此，其可以不具有载流子传输的部分。

此外，第二基质材料可以包括空穴传输材料，并且第三基质材料可以包括电子传输材料。

载流子传输、即空穴传输和电子传输尤其是取决于空穴或者电子在材料中的迁移率并且取决于基质材料的HOMO和LUMO能级的位置。材料的HOMO和LUMO在此对于载流子注入负责。

为了在三种基质材料组成的基质中产生空穴，例如必须从HOMO中去除电子，这在能量上处于深处的HOMO的情况下比在能量上处于更高处的HOMO的情况中更为困难。由此，具有比第三基质材料更高的HOMO的第二基质材料比第三基质材料更适于作为空穴传输材料。类似的适用于在LUMO中产生电子，这在能量上位于更深处的LUMO的情况下在能量上更为有利。由此，具有比第二基质材料更低的LUMO的第三基质材料适于作为电子传输材料。