[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

－衬底，

－第一电极，

－至少一个有机功能层，以及

－第二电极，

其中所述至少一个有机功能层设置在第一电极和第二电极之间，并且其中所述至少一个有机功能层具有至少一个第一基质材料、至少一个第二基质材料和至少一个第三基质材料，并且第三基质材料具有的最低未占分子轨道（LUMO）在能量上低于第二基质材料的最低未占分子轨道和第一基质材料的最低未占分子轨道，并且其中第二基质材料具有的最高占用分子轨道（HOMO）在能量上高于第一基质材料的最高占用分子轨道和第三基质材料的最高占用分子轨道，

其中第一基质材料具有如下最低未占分子轨道：该最低未占分子轨道在能量上高于第二基质材料的最低未占分子轨道和第三基质材料的最低未占分子轨道，并且具有如下的最高占用分子轨道：该最高占用分子轨道在能量上低于第二基质材料的最高占用分子轨道和第三基质材料的最高占用分子轨道。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中第二基质材料具有如下的最低未占分子轨道：该最低未占分子轨道在能量上高于第三基质材料的最低未占分子轨道，以及具有如下的最高占用分子轨道：该最高占用分子轨道在能量上高于第三基质材料的最高占用分子轨道。

3.根据权利要求1至2之一所述的电子装置，其中第一基质材料具有载流子迁移率，该载流子迁移率小于第二基质材料和第三基质材料的载流子迁移率。

4.根据权利要求1至2之一所述的电子装置，其中第二基质材料可以包括空穴传输材料。

5.根据权利要求1至2之一所述的电子装置，其中第三基质材料包括电子传输材料。

6.根据权利要求1至2之一所述的电子装置，其中所述有机功能层选自发射层、电子传输层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、空穴注入层、电子注入层和中间层。

7.根据权利要求1至2之一所述的电子装置，其中所述有机功能层是发射层并且以至少一种发射材料来掺杂。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其中在发射层中的发射材料具有小于等于重量百分比为10%的浓度。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中在发射层中的发射材料的浓度具有梯度。

10.根据权利要求7所述的电子装置，其中发射材料的最低未占分子轨道在能量上低于第一基质材料、第二基质材料和第三基质材料的最低未占分子轨道，并且发射材料的最高占用分子轨道在能量上高于第一基质材料、第二基质材料和第三基质材料的最高占用分子轨道。

11.根据权利要求1至2之一所述的电子装置，其中所述电子装置构建为发射辐射的装置。

12.根据权利要求1至2之一所述的电子装置，其中所述装置构建为有机发光装置。

13.一种用于制造根据权利要求1至12之一所述的电子装置的方法，包括以下方法步骤：

A）提供衬底，

B）提供第一电极和第二电极，

C）将至少一个有机功能层设置在第一电极和第二电极之间，

其中在方法步骤C）中，同时至少施加第一基质材料、第二基质材料和第三基质材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中在方法步骤C）中通过气相淀积来施加第一基质材料、第二基质材料和第三基质材料。