[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置。

背景技术

目前，在阵列基板的氧化物薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor，TFT）设计中，有一种设计方式是利用有机膜（Organic Film）作为岛状刻蚀保护层（Etch-stop layer，ESL层），以实现低温工艺。

利用有机膜作为岛状ESL层的阵列基板的结构示意图可以如图1所示，图1示出了阵列基板中一个像素单元的结构，如图1所示的阵列基板中，AA’位置的横截面示意图如图2所示。

在如图1和图2所示的阵列基板中，包括薄膜晶体管、数据线01和栅极线02。所述薄膜晶体管包括在透明基板00上形成的栅极05（由于所述栅极05和所述栅极线02同层制造，因此，利用相同的图案来表示所述栅极线02和所述栅极05）、覆盖栅极05的栅绝缘层08、位于栅绝缘层08之上的有源层07、位于有源层07之上的刻蚀保护层06，以及彼此分隔的源极04和漏极03（源极04和漏极03为同种材料，且位于同一层，因此，采用相同的图案来表示）。

同时，阵列基板还进一步包括像素电极09和钝化层10。由于像素电极09为透明电极，所以图1中，在像素电极09和漏极03的重叠部分，漏极03可见。钝化层10是位于像素电极09之上的一层，由于钝化层10是透明的，且钝化层10覆盖所述透明基板00上的绝大部分区域，因此，在图1中钝化层10未示出。在图2中，钝化层10可以理解为覆盖透明基板00与虚线围成部分中的空白区域。

在钝化层10之上，阵列基板还可以包括公共（common）电极11。具体的，在图2中，钝化层10可以理解为覆盖透明基板00、公共电极11与虚线围成部分中的空白区域。公共电极11透明度较好，且公共电极11可以理解为覆盖整个像素电极09，但不覆盖薄膜晶体管所在区域。为了更清楚地表明源极04的位置，以及漏极03和像素电极09的位置关系，在图1中，公共电极11可以理解为，覆盖虚线围成部分中，除薄膜晶体管所在区域的其他区域。

在图1和图2所示的阵列基板中，数据线01和源极04、漏极03在同一层，一方面，为减小数据线01、栅极线02分别与像素电极09之间产生的寄生电容，一般会将像素电极09与数据线01、栅极线02间隔一段距离，这样就降低了液晶显示面板的开口率；另一方面，由于数据线01和公共电极11部分交叠，因此，数据线01、栅极线02与公共电极11之间产生的寄生电容均较大。在制作中、大尺寸和高屏幕分辨率（Pixels Per inch，PPI）的阵列基板时，面板加载（Panel Loading）和信号延迟（Delay）都比较大，阵列基板的性能难以得到保证。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，用于减小阵列基板中的寄生电容。

一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管、以及横纵交叉围设形成多个像素单元的数据线和栅极线，所述栅极线和所述数据线位于同一层，且所述数据线以连续设置的所述栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段；栅绝缘层形成在所述数据线和栅极线上；薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述源极通过所述数据线上方穿透所述栅绝缘层的通孔，将相邻的所述独立数据线段电连接在一起。

一种液晶显示装置，包括：上述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

一种阵列基板的制备方法，所述方法包括：在透明基板上，沉积第一金属层，在该第一金属层上光刻出栅极线和数据线，且所述数据线以连续设置的所述栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段；在所述栅极线和数据线上，沉积形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极线和所述数据线；在所述数据线上方刻蚀出通孔；在所述栅绝缘层上，沉积第二金属层，在该第二金属层上光刻出图案，形成彼此分隔的源极和漏极，且所述源极通过所述数据线上方的通孔，将相邻的所述独立数据线段电连接在一起。

根据本发明实施例提供的方案，阵列基板上的数据线采用与栅极线同层制造，以连续设置的栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段，在数据线上覆盖栅绝缘层和刻蚀保护层，从而使得数据线与公共电极之间的距离加大，减小数据线与公共电极之间的寄生电容。

另外，刻蚀保护层与薄膜晶体管源极通过所述数据线上方穿透所述栅绝缘层和所述第一刻蚀保护层的通孔，将相邻的所述独立数据线段电连接在一起，不增加其他的工艺步骤，制程简单。

附图说明

图1为现有技术提供的阵列基板的结构示意图；