[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，所述阵列基板包括薄膜晶体管、以及围设形成多个像素单元的数据线和栅极线，其特征在于，

所述栅极线和所述数据线位于同一层，且所述数据线以连续设置的所述栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段；

栅绝缘层形成在所述数据线和栅极线上；

薄膜晶体管，包括源极和漏极，所述源极通过所述数据线上方穿透所述栅绝缘层的通孔，与相邻的所述独立数据线段电连接；在所述漏极上方还直接设置有像素电极，所述漏极与所述像素电极电连接；所述像素电极与所述数据线所在区域部分重叠；

所述薄膜晶体管还包括形成于所述栅极绝缘层上的第一刻蚀保护层，所述第一刻蚀保护层覆盖在所述数据线上，所述第一刻蚀保护层的宽度大于所述数据线的宽度；所述第一刻蚀保护层材料为有机膜。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括形成于所述栅极绝缘层上的第二刻蚀保护层，所述第二刻蚀保护层形成在所述源漏极所在区域。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括形成于透明基板上的栅极和有源层，其中，所述栅极与所述栅极线电连接，所述有源层与所述栅极所在区域相交叠。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括覆盖所述像素电极、所述薄膜晶体管、所述数据线和所述栅极线的钝化层。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成在所述像素电极上的公共电极；所述公共电极与所述数据线所在区域部分交叠，并与所述栅极线所在区域部分交叠。

6.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二刻蚀保护层与所述第一刻蚀保护层位于同一层。

7.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二刻蚀保护层还覆盖所述栅极线。

8.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体材料。

9.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二刻蚀保护层材料为有机膜。

10.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二刻蚀保护层的厚度为0.5微米～3微米。

11.如权利要求1～10任一所述的阵列基板，其特征在于，所述第一刻蚀保护层的厚度为0.5微米～3微米。

12.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～11任一所述的阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，设置在所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层。

13.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在透明基板上，沉积第一金属层，在该第一金属层上光刻出栅极线和数据线，且所述数据线以连续设置的所述栅极线为间隔分段设置成若干独立数据线段；

在所述栅极线和数据线上，沉积形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极线和所述数据线；

在所述数据线上方刻蚀出通孔；

在所述栅绝缘层上，沉积第二金属层，在该第二金属层上光刻出图案，形成彼此分隔的源极和漏极，且所述源极通过所述数据线上方的通孔，与相邻的所述独立数据线段电连接；

在形成彼此分隔的源极和漏极之后还包括在所述漏极和所述栅绝缘层上，直接沉积透明导电层，在该透明导电层上光刻出图案，形成像素电极，其中，所述像素电极与所述数据线所在区域部分重叠；

形成所述栅极绝缘层之后，还包括在所述栅绝缘层上，涂覆刻蚀保护层，将该刻蚀保护层图案化，形成第一刻蚀保护层，所述第一刻蚀保护层覆盖所述数据线所在区域，所述第一刻蚀保护层的宽度大于所述数据线的宽度。

14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述将该刻蚀保护层图案化之后，还包括：形成第二刻蚀保护层，其中，所述第二刻蚀保护层形成在所述源漏极所在区域。

15.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述第一金属层上同时光刻出栅极，所述栅极与所述栅极线电连接。

16.如权利要求15所述的制备方法，其特征在于，形成所述栅极绝缘层之后，还包括在所述栅绝缘层上，沉积半导体层，在该半导体层上光刻出图案，形成有源层，且所述有源层与所述栅极所在区域相交叠。