[发明专利]用于电子器件或其它制品上的涂层的杂化层有效
申请号: | 201310110156.0 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN103187455B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | S·瓦格纳;P·曼德克里克 | 申请(专利权)人: | 普林斯顿大学理事会 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L51/52;C23C16/24;C23C16/40;C23C16/02;C23C30/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 李跃龙 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电子器件 其它 制品 涂层 杂化层 | ||
本申请是申请日为2007年10月31日,题目为“用于电子器件或其它制品上的涂层的杂化层”的中国专利申请200780045610.1的分案申请。
本申请是美国申请No.11/783,361(2007年4月9日提交)的部分继续申请,其要求美国临时申请No.60/856,047(2006年11月1日提交)的优先权。通过引用将这两个申请的全部内容并入本文。
本发明是借助美国政府支持在陆军研究室(Army Research Office)授予的合同No.W911QX-06-C-0017下完成的。美国政府在本发明中可享有一定的权利。
所要求保护的本发明是由达成联合大学公司研究协议的一个或多个下列合作方完成的,代表其利益和/或与其有关:Princeton University,The University of Southern California,和Universal Display Corporation。在要求保护的发明完成之日或之前该协议生效,且作为在该协议范围内进行活动的结果完成所要求保护的发明。
技术领域
本发明涉及用于电子器件的阻挡涂层。
背景技术
有机电子器件例如有机发光器件(OLED)在暴露于水蒸气或氧时易于劣化。OLED上减少其对水蒸气或氧的暴露的保护性阻挡涂层可有助于改善器件的寿命和性能。已考虑将成功用于食品包装的氧化硅膜、氮化硅膜或氧化铝膜用作OLED的阻挡涂层。然而,这些无机膜倾向于含有微观缺陷,这些微观缺陷允许水蒸气和氧扩散通过该膜。在一些情形中,所述缺陷在脆性膜中显现为裂纹。虽然这种水和氧扩散水平对于食用产品也许是可接受的,但其对于OLED是不可接受的。为解决这些问题,在OLED上对使用交替的无机层和聚合物层的多层阻挡涂层进行了测试,发现对水蒸气和氧的渗透具有改善的抵抗性。但这些多层涂层具有关于复杂性和费用的缺点。因此,存在对形成适用于保护OLED的阻挡涂层的其它方法的需要。
概述
在一方面,本发明提供了在表面上形成涂层的方法,包括:提供前体材料源;将前体材料输送到与待涂覆表面邻接的反应位置;和使用该前体材料源通过化学气相沉积在该表面上沉积杂化层,其中该杂化层包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物,其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范围内,且其中聚合物材料和非聚合物材料产生自相同的前体材料源。
在另一方面,本发明提供了在表面上形成多层涂层的方法,包括:提供前体材料源;将前体材料输送到与待涂覆表面邻接的反应位置;和使用该前体材料源通过化学气相沉积在该表面上沉积多个杂化层,其中各个杂化层独立地包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物,其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范围内,且其中聚合物材料和非聚合物材料产生自相同的前体材料源。
在另一方面,本发明提供了形成如下涂层的方法,所述涂层与其上沉积该涂层的表面具有改善的界面结合,该方法包括:提供具有表面的衬底;预处理待涂覆的表面;提供前体材料源;将前体材料输送到与预处理表面邻接的反应位置;和使用该前体材料源通过化学气相沉积在该表面上沉积杂化层,其中该杂化层包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物,其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范围内,且其中聚合物材料和非聚合物材料产生自相同的前体材料源。
在另一方面,本发明提供了保护电子器件的方法,所述电子器件设置在充当该电子器件的基底的表面上,包括:在电子器件上形成涂层,包括以下步骤:(a)提供前体材料源;(b)将前体材料输送到与待涂覆电子器件邻接的反应位置;和(c)使用该前体材料源通过化学气相沉积在该电子器件上沉积杂化层,其中该杂化层包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物,其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范围内,且其中聚合物材料和非聚合物材料产生自相同的前体材料源。
在又一方面,本发明提供了控制表面上形成的涂层性能的方法,包括:提供前体材料源;将前体材料输送到与待涂覆表面邻接的反应位置;使用该前体材料源通过化学气相沉积在该表面上沉积杂化层,其中该杂化层包含聚合物材料和非聚合物材料的混合物,其中聚合物材料与非聚合物材料的重量比在95:5至5:95范围内,且其中聚合物材料和非聚合物材料产生自相同的前体材料源;和控制沉积该杂化层所处的条件。
附图简述
图1显示了可用于实施本发明某些实施方案的PE-CVD设备的示意图。
图2显示了根据一个实施方案的杂化层的光学透射谱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的