[发明专利]用于电子器件或其它制品上的涂层的杂化层

权利要求书

1.一种设置在基底表面上的有机电子器件，其中该器件包括：

设置在基底上的OLED本体；和

设置在OLED本体上的杂化层，该杂化层基本由聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物构成，其中对于0.1-10μm的杂化层厚度，聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物处于单一相。

2.权利要求1的器件，其中对于和的杂化层厚度，聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物处于单一相。

3.权利要求1的器件，其中通过杂化层的水蒸气透过率小于10^-6g/m²/天。

4.权利要求1的器件，其中杂化层对水蒸气和氧具有足够的不可渗透性，使得器件在65℃和85％相对湿度下具有大于1000小时的工作寿命。

5.权利要求1的器件，其中至少部分杂化层延伸越过OLED本体的边缘并延伸至基底。

6.权利要求5的器件，还包含置于基底表面和杂化层之间的中介层，中介层包含用于增加基底表面和杂化层之间的界面结合的材料。

7.权利要求6的器件，其中中介层包含无机材料。

8.权利要求7的器件，其中无机材料是铬或氮化硅。

9.权利要求6的器件，其中中介层是基底的表面处理。

10.权利要求1的器件，其中通过前体材料的等离子体增强的化学气相沉积形成杂化层，且其中聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料产生自相同的前体材料源。

11.权利要求5的器件，其中杂化层完全覆盖OLED本体。

12.权利要求5的器件，还包括在与OLED本体周缘邻接的一个或多个区域处的边缘阻挡体。

13.权利要求12的器件，其中边缘阻挡体包含在与OLED本体周缘邻接的一个或多个区域处的基底表面中的一个或多个不连续体。

14.权利要求13的器件，其中不连续体通过刻蚀基底表面而形成。

15.权利要求13的器件，其中不连续体延伸穿过基底表面的全厚度。

16.权利要求12的器件，其中边缘阻挡体包含围绕OLED本体边缘的封头。

17.权利要求12的器件，其中边缘阻挡体包括杂化层和基底表面之间的粘接结合部。

18.权利要求1的器件，包含含硅化合物的非聚合物材料是氧化硅。

19.权利要求1的器件，其中基底是衬底。

20.权利要求1的器件，还包括衬底，其中基底是衬底上的平坦化亚层。

21.权利要求20的器件，其中平坦化亚层包含形成平滑表面的聚合物平坦化材料。

22.权利要求21的器件，其中OLED本体被杂化层和平坦化亚层所封装。

23.权利要求20的器件，其中附着促进亚层置于平坦化亚层上。

24.权利要求1的器件，包括多个杂化层，各个杂化层独立地基本由聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物组成，其中对于0.1-10μm的杂化层厚度，各杂化层的聚合有机硅和包含含硅化合物的非聚合物材料的混合物处于单一相。

25.权利要求24的器件，其中通过多个杂化层的水蒸气透过率小于10^-6g/m²/天。

26.权利要求2的器件，其中通过杂化层的水蒸气透过率小于10^-6g/m²/天。