[发明专利]一种移位寄存器单元、移位寄存器、显示面板以及显示器

权利要求书

1.一种移位寄存器单元，包括：依次连接的信号输入端、缓冲模块、复位模块，所述复位模块连接复位端、电源端和下拉模块，所述下拉模块连接复位端、电源端和信号生成模块，所述信号生成模块连接时钟、信号输出端和缓冲模块；其中，所述缓冲模块包括第一薄膜晶体管，所述复位模块包括第二薄膜晶体管，所述信号生成模块包括第三薄膜晶体管、以及与第三薄膜晶体管连接的电容，所述电容的一端与所述第三薄膜晶体管的栅极连接，电容的另一端分别与第三薄膜晶体管的源极、信号输出端连接，所述下拉单元包括第四薄膜晶体管；

其特征在于，所述移位寄存器单元还包括保持模块，所述保持模块包括第五薄膜晶体管和第六薄膜晶体管；所述第五薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的源极连接；具体为：

所述第五薄膜晶体管的栅极分别与第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的栅极连接；所述第五薄膜晶体管的源极分别与第二薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的源极、电源端连接；所述第五薄膜晶体管的漏极与时钟连接；所述第六薄膜晶体管的栅极与第五薄膜晶体管的栅极连接，所述第六薄膜晶体管的源极分别与第五薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的源极、电源端连接；所述第六薄膜晶体管的漏极与时钟连接。

2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括第七薄膜晶体管，所述第七薄膜晶体管的栅极分别与第一薄膜晶体管的栅极、信号输入端连接；所述第七薄膜晶体管的源极分别与第二薄膜晶体管的源极、第五薄膜晶体管的源极、第六薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的源极、电源端连接；所述第七薄膜晶体管的漏极与第六薄膜晶体管的漏极连接。

3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述第六薄膜晶体管采用双栅结构的薄膜晶体管。

4.根据权利要求1、2或3所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述保持模块还包括第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管；其中，

所述第五薄膜晶体管的漏极与时钟连接为：所述第五薄膜晶体管的漏极分别与第八薄膜晶体管的源极、第九薄膜晶体管的栅极连接，所述第八薄膜晶体管的漏极与时钟连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与时钟连接；

所述第六薄膜晶体管的漏极与时钟连接为：所述第六薄膜晶体管的漏极与第九薄膜晶体管的源极连接，所述第九薄膜晶体管的漏极与时钟连接。

5.根据权利要求4所述的移位寄存器单元，其特征在于，

所述第八薄膜晶体管的栅极分别与第九薄膜晶体管的漏极、时钟连接；所述第八薄膜晶体管的源极还与第九薄膜晶体管的栅极连接。

6.根据权利要求5所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括第十薄膜晶体管和第十一薄膜晶体管；其中，

所述第十薄膜晶体管的栅极分别与第九薄膜晶体管的源极、第六薄膜晶体管的漏极、第七薄膜晶体管的漏极、第十一薄膜晶体管的栅极连接；所述第十薄膜晶体管的源极分别与第四薄膜晶体管的源极、第六薄膜晶体管的源极、第五薄膜晶体管的源极、第七薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的源极、第十一薄膜晶体管的源极、电源端连接；所述第十薄膜晶体管的漏极分别与第四薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极、信号输出端连接；

所述第十一薄膜晶体的栅极分别与第七薄膜晶体管的漏极、第六薄膜晶体管的漏极、第九薄膜晶体管的源极连接；所述第十一薄膜晶体的源极分别与第二薄膜晶体管的源极、第七薄膜晶体管的源极、第五薄膜晶体管的源极、第六薄膜晶体管的源极、第四薄膜晶体管的源极、电源端连接；所述第十一薄膜晶体的漏极分别与第二薄膜晶体管的漏极、第一薄膜晶体管的源极、第五薄膜晶体管的栅极、第三薄膜晶体管的栅极连接。

7.根据权利要求6所述的移位寄存器单元，其特征在于，所述移位寄存器单元还包括第十二薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的栅极通过所述第十二薄膜晶体管与所述第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的漏极、第十一薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的栅极连接；具体为：

所述第五薄膜晶体管的栅极与第十二薄膜晶体管的源极连接，所述第十二薄膜晶体管的栅极分别与第一薄膜晶体管的源极、第二薄膜晶体管的漏极、第十一薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的栅极连接；所述第十二薄膜晶体管的漏极分别与第八薄膜晶体管的漏极、第九薄膜晶体管的漏极连接。