[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310109829.0 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103151327A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 颜瀚琦;刘盈男;李维钧;林政男 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：
一基板；
一第一信号接点；
一半导体芯片，设于该基板上；
一封装体，包覆半导体芯片且具有一上表面及一信号凹槽，该信号凹槽从该封装体的该上表面延伸至该第一信号接点；
一第一接地层，形成于该信号凹槽的内侧壁上；以及
一介电层，形成于该信号凹槽内。
2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一信号接点形成于该基板上。
3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：
一第一信号传输柱，从该介电层的上表面延伸至该第一信号接点，且通过该第一信号接点电性连接于该半导体芯片。
4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，更包括：
一第二信号接点；以及
一第二信号传输柱，从该介电层的上表面延伸至该第二信号接点，且通过该第二信号接点电性连接于该半导体芯片；
其中，传输于该第一信号传输柱与传输于该第二信号传输柱的信号相位相差180度。
5.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，该介电层填满该第一信号传输柱与该第一接地层之间的凹槽空间。
6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一信号接点形成于该半导体芯片的主动面上。
7.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该介电层波导介质且填满该信号凹槽。
8.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该基板具有一贯孔，且包括：
一第二接地层，形成于该贯孔的内侧壁上；以及
一第三信号传输柱，穿设于该贯孔，并延伸至该第一信号接点。
9.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该第一接地层一封闭环形接地层。
10.一种半导体封装件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
设置一半导体芯片于该基板上；
形成一封装体包覆该半导体芯片；
形成一信号凹槽从该封装体的上表面延伸至一第一信号接点；
形成一第一接地层于该信号凹槽的内侧壁上；以及
形成一介电层于该信号凹槽内。
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