[发明专利]用于处理基板的装置

说明书

背景技术

本文描述的发明构思涉及能够在基板（例如，用于制造半导体器件的晶片或者用于制造平板显示器的玻璃基板）上执行清洁或干燥过程的装置和方法。

高密度、高度集成和高性能的半导体器件可以造成电路图案的急剧缩小。随着电路图案被急剧地缩小，保留在基板表面上的污染物质（例如，颗粒、有机污染物、金属污染物等）可能影响器件的特性和产量。由于这个原因，在半导体生产过程中，可能不可避免地需要用于去除附着在基板表面上的各种污染物质的清洁过程。在执行制造半导体器件的单元过程之前或之后，可以执行基板清洁过程。

当使用流体处理基板时，可能从流体产生烟气。烟气可能存在于基板处理装置的周边从而充当基板的污染源。

发明内容

本发明构思的实施例的一个方面涉及提供一种基板处理装置，包括：处理容器，其提供清洗基板的空间；基板支撑元件，其被包括在空间中并且支撑基板；喷射元件，其选择性地在位于基板支撑元件上的基板上喷射多种流体。处理容器包括：多个回收容器，其入口在上下方向上堆叠以在空间内接收流体；第一提升元件，其在上下方向上移动多个回收容器；和第二提升元件，其在上下方向上相对于剩余的回收容器相对地移动多个回收容器的一部分。

在示例性实施例中，多个回收容器包括一个或多个固定回收容器，其被设置的使得到框架的相对位置是固定的；和一个或多个转移回收容器，其被设置的使得到固定回收容器的相对位置在上下方向上移动。第一提升元件与框架耦接并且第二提升元件与转移回收容器耦接。

在示例性实施例中，转移回收容器的入口在高度上高于固定回收容器的入口。

在示例性实施例中，一个或多个固定回收容器的数量是3个，并且一个或多个转移回收容器的数量是1个。

在示例性实施例中，回收容器分别与排放管线相连。

在示例性实施例中，第一提升元件和第二提升元件中的每个被形成为气缸并且第二提升元件被固定到第一提升元件。

在示例性实施例中，第一提升元件包括：第一主体；设置在第一主体上并与框架耦接的第一连接板；和被设置以在第一主体内上下移动并与第一连接板耦接的第一气缸负载。

在示例性实施例中，第二提升元件包括：固定到第一连接板的第二主体；设置在第二主体上并与转移回收容器耦接的第二连接板；和从第一气缸负载的内部向上延伸到第二主体的内部并被设置为在第一气缸和第二主体内上下移动的第二气缸负载。

本发明构思的实施例的一个方面涉及提供一种基板清洁方法，包括：将基板设置在基板支撑元件上；在基板上提供化学物；在基板上提供清洁液；并且在基板上提供用于干燥的流体。通过转移回收容器回收用于干燥的流体，并且通过固定回收容器回收化学物。

在示例性实施例中，在基板上提供用于干燥的流体时，打开转移回收容器的入口，并且在基板上提供化学物时，关闭转移回收容器的入口。

在示例性实施例中，在打开转移回收容器的入口时，打开固定回收容器的入口。

在示例性实施例中，提供多个固定回收容器，并且化学物中产生相对大量烟气的化学物通过具有在最下部位置处布置的入口的固定回收容器被回收。

使用本发明构思的实施例，可以抑制在流体处理过程中产生的烟气被排到外部。此外，也可以阻止转移回收容器被在流体处理过程中产生的烟气污染。此外，可以最小化提供到基板的流体被飞溅到容器外面这一现象。

附图说明

上述目的及特征及其它目的及特征将从参照以下附图的以下描述中变得显而易见，其中除非另有规定外，贯穿于各个附图的相同参考符号指代相同的部件，并且其中：

图1是根据发明构思的实施例的基板处理系统的平面图。

图2是基板处理装置的平面图。

图3是基板处理装置的剖视图。

图4是示出其中本发明构思的基板处理装置中的处理容器的转移回收容器被打开的示例的图。

图5是示出其中本发明构思的基板处理装置中的处理容器的转移回收容器被打开的示例的图。

具体实施方式

将参照附图详细地描述各实施例。然而，本发明构思可以以各种不同的形式实施，并且不应该理解为仅被限于所示出的实施例。而是，这些实施例被提供作为实例以使得本公开是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达了本发明构思的概念。因此，关于本发明构思的实施例中的一些实施例没有描述已知的过程、元件和技术。除非另有说明，贯穿附图和说明书的相同参考符号表示相同的元件，并且因此不再重复描述。在附图中，为了清楚起见可能夸大了层和区域的尺寸和相对尺寸。