[发明专利]用于处理基板的装置有效
申请号: | 201310109335.2 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN103367207B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 卢焕益 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 杨生平,钟锦舜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
处理容器,其提供清洗基板的空间;
基板支撑元件,其被包括在所述空间中并且支撑所述基板;
喷射元件,其选择性地在位于所述基板支撑元件上的基板上喷射多种流体;
其中所述处理容器包括:
多个回收容器,其入口在上下方向上堆叠以在所述空间内接收流体;
第一提升元件,其在上下方向上移动所述多个回收容器;和
第二提升元件,其在上下方向上相对于剩余的回收容器相对地移动所述多个回收容器的一部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述多个回收容器包括:
一个或多个固定回收容器,其被设置的使得到框架的相对位置是固定的;和
一个或多个转移回收容器,其被设置的使得到所述固定回收容器的相对位置在上下方向上移动,并且
其中所述第一提升元件与所述框架耦接并且所述第二提升元件与所述转移回收容器耦接。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述转移回收容器的入口在高度上高于所述固定回收容器的入口。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中所述一个或多个固定回收容器的数量是3个,并且所述一个或多个转移回收容器的数量是1个。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其中所述回收容器分别与排放管线相连。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中所述第一提升元件和第二提升元件中的每一个被形成为气缸,并且所述第二提升元件被固定到所述第一提升元件。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中所述第一提升元件包括:
第一主体;
设置在所述第一主体上并与所述框架耦接的第一连接板;和
被设置以在所述第一主体内上下移动并与所述第一连接板耦接的第一气缸负载。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中所述第二提升元件包括:
固定到所述第一连接板的第二主体;
设置在第二主体上并与所述转移回收容器耦接的第二连接板;和
从所述第一气缸负载的内部向上延伸到所述第二主体的内部并被设置为在所述第一气缸和所述第二主体内上下移动的第二气缸负载。
9.一种基板清洁方法,包括:
将基板设置在基板支撑元件上;
在基板上提供化学物;
在基板上提供清洁液;以及
在基板上提供用于干燥的流体,
其中通过转移回收容器回收所述用于干燥的流体,并且通过固定回收容器回收所述化学物。
10.根据权利要求9所述的基板清洁方法,其中在基板上提供用于干燥的流体时,打开所述转移回收容器的入口,并且在基板上提供化学物时,关闭所述转移回收容器的入口。
11.根据权利要求9所述的基板清洁方法,其中在打开所述转移回收容器的入口时,打开所述固定回收容器的入口。
12.根据权利要求9所述的基板清洁方法,其中提供多个所述固定回收容器,并且化学物中产生相对大量烟气的化学物通过具有在最下部位置处布置的入口的固定回收容器被回收。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造