[发明专利]具有钝化区段的半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一晶粒，具有一第一表面及一第二表面；

一第一钝化层，位于该晶粒的第二表面，且具有数个第一区段，所述第一区段的其中之一具有一第一宽度；

一金属布线层，位于该第一钝化层上，且具有数个第二区段，所述第二区段的其中之一具有一第二宽度；及

一第二钝化层，位于该金属布线层上，且具有数个第三区段，所述第三区段的其中之一具有一第三宽度；

其中所述第二区段位于所述第一区段及所述第三区段之间，且该第二宽度等于或小于该第一宽度及该第三宽度。

2.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，更包括至少一导电通道，位于该晶粒内，且被一衬层所围绕，且该金属布线层接触该至少一导电通道。

3.如权利要求2的半导体元件，其特征在于，该导电通道及该衬层突出于该第一钝化层，且该金属布线层的第二区段的一端位于该突出的导电通道及衬层。

4.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，更包括一集成电路及至少一外部连接元件，其中该集成电路邻接于该第一表面，该外部连接元件电性连接至该集成电路，且该导电通道电性连接至该集成电路。

5.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，该第一钝化层及该第二钝化层的材质为聚合物。

6.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，该第一宽度与该第二宽度的比值为1至1.5。

7.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，该第一宽度与该第三宽度相等。

8.如权利要求1的半导体元件，其特征在于，该第二钝化层更具有一开口以显露该金属布线层的第二区段的另一端，且一球下金属层位于该开口中以接触该金属布线层的第二区段。

9.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：

一下基板；

一半导体元件，位于该下基板上，且包括：

一晶粒，具有一第一表面及一第二表面；

至少一导电通道，位于该晶粒内且被一衬层所围绕；

一第一钝化层，位于该晶粒的第二表面，且具有数个第一区段，所述第一区段的其中之一具有一第一宽度；

一金属布线层，位于该第一钝化层上，且具有数个第二区段，所述第二区段的其中之一具有一第二宽度，其中该金属布线层接触该至少一导电通道；及

一第二钝化层，位于该金属布线层上，且具有数个第三区段，所述第三区段的其中之一具有一第三宽度，其中所述第二区段位于所述第一区段及所述第三区段之间，且该第二宽度等于或小于该第一宽度及该第三宽度；

一上半导体元件，位于该半导体元件上，且电性连接至该导电通道；及

一封胶材料，包覆该下基板、该半导体元件及该上半导体元件。

10.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该导电通道及该衬层突出于该第一钝化层，且该金属布线层的第二区段的一端位于该突出的导电通道及衬层。

11.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该半导体元件更包括一集成电路及至少一外部连接元件，该集成电路邻接于该第一表面，该外部连接元件电性连接至该集成电路，且该导电通道电性连接至该集成电路。

12.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该第一钝化层及该第二钝化层的材质为聚合物。

13.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该第一宽度与该第二宽度的比值为1至1.5。

14.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该第一宽度与该第三宽度相等。

15.如权利要求9的半导体封装结构，其特征在于，该第二钝化层更具有一开口以显露该金属布线层的第二区段的另一端，一球下金属层位于该开口中以接触该金属布线层的第二区段，且该上半导体元件接触该球下金属层。