[发明专利]一种自清洗腔体

说明书

技术领域

本发明涉及硅片清洗领域，尤其涉及一种自清洗腔体。

背景技术

随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的表面质量要求越来越高。硅片清洗成了半导体制造中最重要最频繁的步骤。

半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化学清洗两种。

物理清洗有三种方法。①刷洗或擦洗:可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。②高压清洗：是用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压。高压清洗靠喷射作用，片子不易产生划痕和损伤。但高压喷射会产生静电作用，靠调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂加以避免。③超声波清洗：超声波声能传入溶液,靠气蚀作用洗掉片子上的污染。但是，从有图形的片子上除去小于1微米颗粒则比较困难。将频率提高到超高频频段，清洗效果更好。

化学清洗是为了除去原子、离子不可见的污染，方法较多，有溶剂萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各种混合酸等）和等离子体法等。

目前常用的硅片清洗方法为湿法化学清洗，采用湿法化学方法清洗的硅片清洗设备都需要工艺腔体，不管是封闭腔体还是开放腔体。硅片清洗根据工艺阶段不同需要不同的药液，腔体长时间使用之后，其内壁上粘附的各种药液会产生结晶，影响清洗环境的洁净，封闭的工艺腔体这种情况会更加严重。因此为了提高硅片的清洗质量，必须在使用一段时间之后对工艺腔体内壁进行清洁维护。但是现有的清洗设备工艺腔体清洁维护工序都是先将腔体从设备上拆卸之后才能进行，这种方法费时费力，而且腔体清洁完成重新安装之后，原来调好的初始位置等都会发生一定的变化，需要重新进行调整与设置，也会影响工作效率，因此急需要一种节约时间、节约人力的腔体清洗方法解决目前的难题。

发明内容

（一）要解决的技术问题

避免先将腔体从设备上拆卸之后才能进行清洗的问题，能省时省力，避免在清洗硅片时对腔体进行重新的调整和设置的问题。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种自清洗腔体，其包括腔体，自清洗腔体的主体；喷水嘴，清洗时的出水口；排液口，用于排出清洗硅片和腔体时的液体。

其中，喷水嘴安装在腔体外部，排液口在腔体下部。

其中，喷水嘴有上下两排，且其上下位置面对面正对。

其中，进液软管一端在喷水嘴内。

其中，进液软管没有伸入喷水嘴的部分安装有调压阀。

其中，调压阀之前有至少一个手阀或气动阀。

其中，腔体上部有排气管。

其自清洗的步骤为：

1）开启手阀和气动阀，调节调压阀控制水流流量，开始清洗腔体；

2）清洗完毕后，关闭手阀、气动阀和调压阀。

（三）有益效果

本发明的上述技术方案具有如下优点：通过调压阀控制进液口的流量，来达到不同的清洁效果；腔体上下侧均设置喷嘴，可以实现均匀清洗；增加排气孔，排出污染空气，减少腔体的污染程度，提高硅片的清洗效率，降低自清洗频率；增加排液口，清洗完成后的废液可以直接通过排液口排出。最终实现腔体的不拆卸清洗。

附图说明

图1是本发明实施例的工作原理图。

图2是本发明实施例的腔体外形图。

图3是本发明实施例的腔体剖视图。

图4是本发明实施例的工作状态示意图。

图中，1：腔体；2：排气管；3：上侧支流的进液软管；4：上侧支流的喷水嘴；5：下侧支流的喷水嘴；6：下侧支流的进液软管；7：硅片；8：旋转卡盘；9：排液口。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。