[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供前端结构，所述前端结构包括衬底及位于所述衬底上的多个栅极结构，所述衬底包括PMOS区和NMOS区，所述PMOS区和NMOS区的相邻栅极结构之间均形成有金属硅化物，所述PMOS区的相邻栅极结构之间形成有锗硅应力层，所述栅极结构包括栅极材料层、位于所述栅极材料层上的栅极掩膜层及位于所述栅极材料层和栅极掩膜层两侧的侧墙，所述侧墙包括偏移侧墙、覆盖所述偏移侧墙的主侧墙氧化层及覆盖所述主侧墙氧化层的主侧墙氮化硅层；

形成一旋转覆盖层，所述旋转覆盖层覆盖所述衬底及栅极结构；

回刻所述旋转覆盖层和栅极掩膜层直至所述掩膜层被去除；

去除剩余的旋转覆盖层；

进行SPT刻蚀，去除所述主侧墙氮化硅层和主侧墙氧化层，保留偏移侧墙，由于掩膜层被去除，故降低了SPT刻蚀对金属硅化物和硅锗应力层的损伤；

形成层间介电层，所述层间介电层覆盖所述衬底及栅极结构；

采用化学机械研磨去除部分所述层间介电层使其平坦化，并暴露出所述栅极材料层。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述旋转覆盖层为有机膜层或无机膜层。

3.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述旋转覆盖层的厚度为

4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺回刻所述旋转覆盖层和栅极掩膜层。

5.如权利要求4所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀对所述旋转覆盖层和栅极掩膜层的刻蚀比率为1:1.2～1.2:1。

6.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极掩膜层的材料为氮化硅。

7.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用去胶工艺去除剩余的旋转覆盖层。

8.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，采用硫酸或氢氟酸去除所述旋转覆盖层。

9.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，首先进行干法焚烧，然后采用硫酸或氢氟酸去除所述旋转覆盖层。

10.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述层间介电层包括覆盖所述衬底及栅极结构的刻蚀停止层和覆盖所述刻蚀停止层的层间氧化层。

11.如权利要求9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述层间介电层的厚度为

12.如权利要求10所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度为

13.如权利要求10所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为氮化硅。

14.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述金属硅化物是硅镍化物或硅钛化物。