[发明专利]接触孔的制造方法

说明书

本发明提供了一种接触孔的制造方法，包括：提供一基底，对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔，对所述接触孔执行预烘干，对预烘干后的接触孔执行金属填充。在本发明提供的接触孔的制造方法中，接触孔刻蚀后进行预烘干工序，除去了接触孔中凝集的易挥发性有机聚合物（Condense）。由此，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种接触孔的制造方法。

背景技术

随着集成电路产业的发展，器件的外形尺寸不断缩小，从而对集成电路制造工艺要求越来越高。集成电路生产工艺也从早期的0.8微米、0.6微米线宽一直发展到今天的45纳米、40纳米线宽。所谓线宽一般是指栅极的宽度。因为线宽越小，晶体管也越小，让晶体管工作需要的电压和电流就越低，晶体管开关的速度也就越快，晶体管的性能也就更好。

集成电路制造过程中一般包括接触孔刻蚀工艺和金属填充过程，其目的是在两层互连金属线之间的膜层中刻蚀出一系列接触孔，然后在接触孔里面填入用于两层金属线间的互连金属，比如铜，通过这些金属线把成千上万的晶体管连成具有一定功能的器件。随着器件尺寸的缩小，接触孔的尺寸也越来越小。接触孔刻蚀的难度也越来越大。一旦出现接触孔刻蚀缺陷，比如接触孔刻蚀不到位或者刻蚀后接触孔堵塞就可能使得金属布线开路，导致器件失效。

在45纳米、40纳米小线宽工艺过程中发现，30%的生产批次会出现接触孔刻蚀缺陷，造成约17%的产品不良，严重影响了产品良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种接触孔的制造方法，以解决现有的45纳米、40纳米小线宽工艺中因接触孔刻蚀缺陷造成器件失效，导致产品良率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种接触孔的制造方法，所述接触孔的制造方法包括以下步骤：

提供一基底；

对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔；

对所述接触孔执行预烘干；

对预烘干后的接触孔执行金属填充。

可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述预烘干的温度为100℃～300℃。

可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述预烘干的时间为10秒～600秒。

可选的，在所述的接触孔的制造方法中，执行所述金属填充所使用的材料为铜。

可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述接触孔刻蚀采用两层掩膜层，其中第一层掩膜层是NFC，第二层掩膜层是LTO。

可选的，在所述的接触孔的制造方法中，在执行金属填充之前，在执行预烘干之后，还包括执行浅槽刻蚀，形成浅槽。

可选的，在所述的接触孔的制造方法中，所述浅槽刻蚀采用两层掩膜层，其中第三层掩膜层是NFC，第四层掩膜层是LTO。

可选的，在所述的接触孔的制造方法中，在同一个工艺步骤中执行所述预烘干和涂布第三层掩膜层NFC。

发明人发现，造成现有的45纳米、40纳米小线宽工艺过程中发生接触孔刻蚀缺陷的原因在于，在接触孔刻蚀工艺过程中易挥发性有机聚合物（Condense）凝结在接触孔内，易挥发性有机聚合物（Condense）遮挡了接触孔下面的膜层刻蚀，导致填充在接触孔中的金属层与基底中的金属层无法导通，造成器件的金属布线开路，最终使得器件失效。在本发明提供的接触孔的制造方法中，接触孔刻蚀后进行预烘干工序，除去了接触孔中凝集的易挥发性有机聚合物（Condense）。由此，避免了接触孔刻蚀缺陷的发生，提高了产品的良率。

附图说明

图1是现有技术中执行接触孔刻蚀后的器件的结构示意图；