[发明专利]接触孔的制造方法有效
| 申请号： | 201310103937.7 | 申请日： | 2013-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104078413B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 钟鑫生;严凯;丁超;张英男;李斌生;孙超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种接触孔的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
对所述基底执行接触孔刻蚀，形成接触孔；
对所述接触孔执行预烘干，去除所述接触孔内由于刻蚀所产生的易挥发性物质；
执行浅槽刻蚀，形成浅槽，所述浅槽刻蚀采用第三掩膜层与第四掩膜层，且所述预烘干与所述第三掩膜层采用相同的涂布设备，所述预烘干与所述第三掩膜层的涂布设置在同一工艺步骤中；
对所述接触孔与所述浅槽执行金属填充。
2.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述预烘干的温度为100℃～300℃。
3.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述预烘干的时间为10秒～600秒。
4.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，执行所述金属填充所使用的材料为铜。
5.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述接触孔刻蚀采用两层掩膜层，其中第一层掩膜层是NFC，第二层掩膜层是LTO。
6.如权利要求1所述的接触孔的制造方法，其特征在于，所述第三掩膜层是NFC，所述第四掩膜层是LTO。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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