[发明专利]一种钕铁硼磁体的电镀与气相沉积复合防护方法无效
申请号: | 201310103710.2 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103173763A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 胡依群;郑国芳;鲍盈;王应发;徐治伟 | 申请(专利权)人: | 宁波韵升股份有限公司;宁波韵升磁体元件技术有限公司;宁波韵升特种金属材料有限公司;宁波韵升高科磁业有限公司 |
主分类号: | C23C28/00 | 分类号: | C23C28/00 |
代理公司: | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人: | 程晓明 |
地址: | 315040 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钕铁硼 磁体 电镀 沉积 复合 防护 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种钕铁硼磁体的表面防护方法,尤其是涉及一种钕铁硼磁体的电镀与气相沉积复合防护方法。
背景技术
钕铁硼磁体具有优异的磁性能和很高的性价比,广泛应用于电子、电机和通信等技术领域;但是钕铁硼磁体的性质非常活泼,很容易被腐蚀,从而导致生锈、粉化或者失去磁性等问题,极大地限制了钕铁硼磁体的使用寿命和应用领域。
目前,主要通过对钕铁硼磁体的表面进行电镀处理来提高其防腐蚀性能。虽然电镀镀层在一定程度上隔离了钕铁硼磁体与外界环境的接触,提高了钕铁硼磁体的耐腐蚀性,但是由于电镀工艺的局限性,存在以下问题:一、电镀镀层或多或少都存在孔隙,而外界环境可以通过这些孔隙与钕铁硼磁体接触,从而腐蚀钕铁硼磁体;二、钕铁硼磁体本身表面具有微孔结构,直接对钕铁硼磁体进行电镀处理时,电镀药液会通过微孔结构渗入钕铁硼磁体内部对钕铁硼磁体造成损伤,引起磁性能的下降。为了确保钕铁硼磁体的磁性能满足设计要求,目前主要通过在生产钕铁硼磁体的材料配方中添加镝、铽等重稀土金属或战略金属钴,以此提高钕铁硼磁体的耐腐蚀性能,抵御电镀药液的腐蚀。由此,耗费了我国宝贵的镝、铽等重稀土金属或战略金属钴,造成了资源的浪费。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可以节约重稀土金属和战略金属钴等稀有资源,且耐腐蚀性强的钕铁硼磁体的电镀与气相沉积复合防护方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种钕铁硼磁体的电镀与气相沉积复合防护方法,包括以下步骤:
①将钕铁硼磁体进行预处理;
②将预处理后的钕铁硼磁体进行气相沉积处理;
③将气相沉积处理后的钕铁硼磁体进行表面电镀处理。
所述的步骤②中的气相沉积膜层的厚度至少为1μm。
所述的步骤③中电镀镀层的厚度为5~35μm。
所述的步骤①中的预处理包括除油、除锈和活化处理。
所述的步骤②中的气相沉积处理过程是镀镍、镀铜、镀钛、镀镍铁、镀铁、镀铝、镀锌、镀银、镀不锈钢和镀铬或它们中至少两种的复合。
所述的步骤③中的电镀处理过程是电镀镍、电镀锌和电镀铜或它们中至少两种的复合。
与现有技术相比,本发明的优点在于通过先对钕铁硼磁体进行气相沉积处理,在钕铁硼磁体的表面形成气相沉积膜层,气相沉积膜层将钕铁硼磁体本身表面具有的微孔结构封闭住且不会对钕铁硼磁体造成损伤而引起磁性能的下降,由此在生产钕铁硼磁体的材料配方中可以少添加或不添加镝、铽等重稀土金属或战略金属钴,节约了稀有资源,而且在气相沉积膜层上再进行电镀处理,气相沉积膜层一方面可以阻挡了电镀药液对钕铁硼磁体的腐蚀路径,另一方面也可以克服电镀镀层的孔隙缺陷,使外部环境无法通过电镀镀层的孔隙与钕铁硼磁体接触;气相沉积膜层和电镀镀层对钕铁硼磁体形成双重防护,提高了钕铁硼磁体的耐腐蚀性,经测试,采用本发明的方法处理的钕铁硼磁体相对于现有的钕铁硼磁体,其耐高温高湿试验经受时间提高了2-6倍,耐腐蚀性很强,使用寿命长,运行可靠性高,应用领域广;
由于气相沉积膜层的存在,电镀镀层的厚度可以较薄,为5~35μm,较薄的电镀镀层,既可以缩短电镀时间,又可以节约电镀阳极材料及电镀液,同时减少电镀重金属废液的排放,经济环保。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例一:一种钕铁硼磁体的电镀与气相沉积复合防护方法,包括以下步骤:
①将钕铁硼磁体进行预处理,其中预处理包括除油、除锈和活化等工序,具体过程为:
①-1在温度为50~70℃条件下对钕铁硼磁体进行碱性脱脂(除油),时间为5~15分钟;
①-2对脱脂后的钕铁硼磁体先后进行两次纯水洗;
①-3采用浓度为5%硝酸酸洗液在室温条件下酸洗1~3分钟(除锈);
①-4进行两次纯水洗;
①-5进行超声波水洗;
①-6进行纯水洗;
①-7采用浓度为15g/L的氟化氢铵溶液进行活化处理,其中温度为室温,时间为30秒;
①-8进行纯水洗,预处理完成;
②将预处理后的钕铁硼磁体进行气相沉积处理:气相沉积处理过程中采用镍膜,靶功率为300W,气压为0.2Pa,气相沉积膜层的厚度为1~5μm;
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