[发明专利]锂电池保护电路的测试方法和系统有效
申请号: | 201310103696.6 | 申请日: | 2013-03-27 |
公开(公告)号: | CN104076271B | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
发明(设计)人: | 季强 | 申请(专利权)人: | 上海宏测半导体科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R31/02;G01R31/07 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 201114 上海市闵行区浦江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 锂电池 保护 电路 测试 方法 系统 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路测试领域,特别涉及锂电池保护电路的测试方法和系统。
背景技术
近年来,PDA、数字相机、手机、便携式音频设备和蓝牙设备等越来越多的产品采用锂电池作为主要电源。锂电池具有体积小、能量密度高、无记忆效应、循环寿命高、高电压电池和自放电率低等优点,与镍镉、镍氢电池不太一样,锂电池必须考虑充电、放电时的安全性,以防止特性劣化。针对锂电池的过充、过度放电、过电流及短路保护很重要,所以通常都会在电池包内设计保护线路用以保护锂电池。
DW01是一个锂电池保护电路,为避免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或电池被损坏而设计的。它具有高精确度的电压检测与时间延迟电路。
随着科技的发展和市场竞争的激烈,手机的体积越做越小,而随着这种趋势,对锂离子电池的保护电路DW01体积的要求也越来越小以及芯片利润也越来越低,这就对DW01中测(CP)测试效率要求很高,所以采用多SITES测试。
DW01设计要求在晶圆封装前必须要进行CP测试,每个DW01晶圆的制作工艺有细微差别导致其基准电压不同,基准电压在一定范围内CP测试可以根据实际的数值进行熔丝(trimming)修复补偿确保基准确,极少数基准电压偏的太厉害是无法修复的只能当成坏品。CP的目的就是把无法修复的坏品剔除掉,确保封装的晶圆都是好品,节省封装和测试成本。
这就对CP测试方案要求非常严格,带隙电压(VBG)和过充保护(VDET)基准电压测试必须精准修复,否则基准电压修复偏离导致封装后的成品都是坏品,后果不堪设想。
此外,目前的测试中,把测试DUT重合到探针卡上,调试不方便;而且,由于每家DW01晶圆大小不同,导致测试设备通用性差,占用测试资源太多。
发明内容
本发明的目的在于提供一种锂电池保护电路的测试方法和系统,使得在中测(CP)测试时根据VBG和VDET测试电压,进行熔丝修复,剔除无法修复的坏品,节省封装和测试成本,从而提高成品测试(FT)的良率。
为解决上述技术问题,本发明的实施方式提供了一种锂电池保护电路的测试方法,包含以下步骤:
A.根据锂电池保护电路的测试原理,做好测试前的准备,包含:设计并制造熔丝卡、探针卡;编辑测试程序;
B.执行测试程序,对锂电池保护电路的各个管脚进行开短路测试;
C.对通过所述开短路测试的锂电池保护电路,根据测量得到的VBG电压,进行熔丝修复:判断所述探针卡上的探针和所述熔丝卡上的熔丝的接触是否良好,如是,则根据测试规范测试VBG电压,并根据读出来的数据进行熔丝修复;修复完成后,再次判断探针和熔丝的接触是否良好,如是,则通过测量VBG电压判断熔丝修复是否成功;
D.对通过VBG电压测试的锂电池保护电路,根据测量得到的VDET电压,进行熔丝修复:判断探针和晶圆的接触是否良好,如是,则根据测试规范测试VDET电压,并根据读出来的数据进行熔丝修复;修复完成后,再次判断探针和熔丝的接触是否良好,如是,则通过测量VDET电压判断熔丝修复是否成功。
本发明的实施方式还提供了一种锂电池保护电路的测试系统,包含:熔丝卡、探针卡、测试设备、测试设备接口、测试负载板;所述测试设备连接所述测试负载板,所述测试负载板分别连接所述被测器件接口和所述熔丝卡,所述被测器件接口连接所述探针卡,所述探针卡连接所述锂电池保护电路的晶圆;
其中,所述测试设备执行测试程序,对锂电池保护电路的各个管脚进行开短路测试;并对通过所述开短路测试的锂电池保护电路,判断所述探针卡上的探针和所述熔丝卡上的熔丝的接触是否良好,如是,则根据测试规范测试VBG电压,并根据读出来的数据进行熔丝修复;修复完成后,再次判断探针和熔丝的接触是否良好,如是,则通过测量VBG电压判断熔丝修复是否成功;还对通过VBG电压测试的锂电池保护电路,判断探针和晶圆的接触是否良好,如是,则根据测试规范测试VDET电压,并根据读出来的数据再次进行熔丝修复;修复完成后,再次判断探针和熔丝的接触是否良好,如是,则通过测量VDET电压判断熔丝修复是否成功。
本发明实施方式相对于现有技术而言,通过确保探针与熔丝的接触良好,保证VBG测试电压和VDET测试电压准确,避免因电压测量不准导致的熔丝烧断错误,使得在CP测试时根据VBG和VDET测试电压,进行熔丝修复,剔除无法修复的坏品,节省封装和测试成本,从而提高FT的良率。
另外,通过以下子步骤判断探针和熔丝的接触是否良好:
测量各熔丝之间的电阻;
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