[发明专利]振动装置以及振动装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310102718.7 申请日: 2013-03-27
公开(公告)号: CN103363975A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 花冈辉直 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G01C19/5607 分类号: G01C19/5607;G01P15/08;B23K26/03
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;苏萌萌
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 振动 装置 以及 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种振动装置以及振动装置的制造方法。

背景技术

一直以来,作为对加速度或角速度等进行传感检测的传感器装置,已知一种如下的振动装置,其具备作为传感器元件的振动元件、和具有对该振动元件进行驱动的功能的电路元件。

此外,作为这种振动装置,在专利文献1中公开了一种传感器装置被收纳于封装件中的振动装置,所述传感器装置具备作为振动元件的陀螺振动片、和设置有电路元件的半导体基板。

在这种结构的振动装置中,振动元件以重叠的方式而被搭载于半导体基板上,并且在振动元件的振动频率的调节中,使用了用于去除振动元件所具备的质量调节部(电极等)的激光。

但是,在这种结构的振动装置中,在透射过振动元件的激光照射到半导体基板上时,存在对半导体基板造成损伤的可能性。此外,由于在半导体基板上搭载了振动元件,因此还存在与振动元件的表面积相比半导体基板的表面积增大的课题。

专利文献1:日本特开2011-179941号公报

发明内容

本发明是为了解决上述课题的至少一部分而实施的发明,其能够作为以下的方式或应用例来实现。

应用例1

本应用例所涉及的振动装置的特征在于,具有:半导体基板;第一电极,其被设置在半导体基板的第一面上;保护层,其覆盖第一面的端部并被设置在第一面上;振动元件,其包括振动部、位于振动部上的质量调节部、以及第二电极,在振动元件中,质量调节部位于在俯视观察时与保护层重叠的位置上,并且振动元件的一部分被配置在不与第一面重叠的位置上,第一电极和第二电极被连接并被设置在第一面上。

根据这种振动装置,在俯视观察振动装置时被搭载在半导体基板上的振动元件,以使质量调节部与保护层重叠的方式而搭载在半导体基板的端部所具有的保护层上,且振动元件的一部分被搭载在不与半导体基板重叠的位置上,即,以从半导体基板的端部悬伸的方式而搭载。由此,与现有技术的在半导体基板上搭载有振动元件的振动装置相比,能够减小相当于振动元件悬伸的表面积的、半导体基板的面积。

因此,能够在不对振动元件的大小进行变更的条件下,实现半导体基板的小型化。

应用例2

在上述应用例所涉及的振动装置中,优选为,保护层被形成为,朝向半导体基板的端部而厚度变薄。

根据这种振动装置,在剖视观察半导体基板的端部时,覆盖半导体基板的端部的保护层朝向半导体基板的端部而具有斜坡。由此,能够抑制由于在保护层被切断(切开)时所产生的应力而导致的半导体基板与保护层、以及保护层之间的剥离。因此,能够具备在半导体基板的端部处抑制了剥离的保护层。

应用例3

在上述应用例所涉及的振动装置中,优选为,保护层通过非电解镀而形成。

根据这种振动装置,通过具备利用非电解镀而形成的保护层,从而能够具备如下的保护层,所述保护层抑制了由于在保护层切断后所产生的热膨胀而形成的应力等所导致的、半导体基板与保护层以及保护层之间的剥离。

应用例4

本应用例所涉及的振动装置的制造方法的特征在于,包括:使位于振动元件的振动部上的质量调节部位于,在俯视观察时与覆盖半导体基板的第一面并被设置在第一面上的保护层重叠的位置上,并且将振动元件的一部分配置在不与第一面重叠的位置上,且对设置在第一面上的第一电极和振动元件的第二电极进行连接,并将振动元件搭载在第一面上的工序;频率调节工序,在对振动元件进行搭载的工序之后,通过对振动元件的质量调节部照射激光,从而对质量调节部的质量进行调节,以使振动元件的所述振动部的谐振频率成为所预期的值。

根据这种振动装置的制造方法,在振动装置中,在将振动元件搭载在半导体基板上的工序中,将振动元件所具备的质量调节部重叠地搭载在半导体基板的端部处所具备的保护层上,并将振动元件的一部分搭载在不与半导体基板重叠的位置上,即,以从半导体基板的端部悬伸的方式而将振动元件搭载在半导体基板上。由此,即使在频率调节工序中被照射至振动元件所具有的质量调节部上的激光透射过振动元件的情况下,也能够通过半导体基板的端部上所具备的保护膜来抑制激光。由此,与现有技术的在半导体基板上搭载有振动元件的振动装置相比,能够减小相当于振动元件悬伸的表面积的、半导体基板的表面积。

应用例5

在上述应用例所涉及的振动装置的制造方法中,优选为,还包括:形成保护层的工序;通过斜角切割法而将保护层切断的工序。

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