[发明专利]表面声波谐振器以及表面声波振荡器

说明书

本申请是申请日为2010年2月26日，申请号为201010126150.9，发明名称为“表面声波谐振器以及表面声波振荡器”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及表面声波谐振器以及搭载有该表面声波谐振器的表面声波振荡器，尤其涉及在基板表面设有槽的类型的表面声波谐振器以及搭载有该表面声波谐振器的表面声波振荡器。

背景技术

在表面声波(SAW：surface acoustic wave)装置(例如SAW谐振器)中，SAW的阻带（stopband）、石英基板的切角以及IDT(interdigital transducer：叉指换能器)的形成方式等对频率温度特性的变化影响很大。

例如，在专利文献1中，公开了SAW的阻带的上端模式和下端模式各自的进行激励的结构以及阻带的上端模式和下端模式各自的驻波分布等。

另外，在专利文献2～5中记载了如下情况：SAW的阻带的上端模式的频率温度特性优于阻带的下端模式。并且，在专利文献2、3中记载了如下情况：在利用瑞利波的SAW装置中，为了获得良好的频率温度特性，对石英基板的切角进行调整，并且使电极的基准化膜厚(H/λ)增厚到0.1左右。

另外，在专利文献4中记载了如下情况：在利用瑞利波的SAW装置中，对石英基板的切角进行调整，并且使电极的基准化膜厚(H/λ)加厚大致0.045以上。

另外，在专利文献5中记载了如下情况：采用旋转Y切X传播的石英基板并利用阻带上端的谐振，由此，与利用阻带下端的谐振相比，能够提高频率温度特性。

另外，在专利文献6以及非专利文献1中记载了如下情况：在使用ST切石英基板的SAW装置中，在构成IDT的电极指之间以及构成反射器的导体带(导体strip)之间设有槽(Groove)。另外在非专利文献1中，记载了频率温度特性随槽深而变化的情 况。

另外，在专利文献7中，记载了在采用LST切石英基板的SAW装置中用于将表示频率温度特性的曲线形成为三维曲线的结构，并且还记载了如下情况：在使用瑞利波的SAW装置中，未发现具有三维曲线所表示的温度特性的切角基板。

【专利文献1】日本特开平11-214958号公报

【专利文献2】日本特开2006-148622号公报

【专利文献3】日本特开2007-208871号公报

【专利文献4】日本特开2007-267033号公报

【专利文献5】日本特开2002-100959号公报

【专利文献6】日本特开昭57-5418号公报

【专利文献7】日本特许第3851336号公报

【非专利文献1】グループ形SAW共振器の製造条件と特性（電子通信学会技術研究報告MW82-59(1982)）

如上所述，用于改善频率温度特性的要素有很多，尤其在利用瑞利波的SAW装置中，公知增加构成IDT的电极的膜厚是提高频率温度特性的要因之一。但是，本申请人在实验中发现，当增加了电极的膜厚时，老化特性及温度冲击承受特性等环境承受特性劣化。另外，在以改善频率温度特性为主要目的的情况下，如前所述必需增加电极膜厚，无法避免与此相伴的老化特性及温度冲击承受特性等的劣化。这对于Q值相也是适用的，因此很难在不增加电极膜厚的情况下实现高Q化。

发明内容

因此，在本发明中，提供表面声波谐振器以及表面声波振荡器时的课题有3个，第1是实现良好的频率温度特性，第2是提高环境承受特性，第3是要得到高Q值。

本发明是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的，其可作为以下方式或应用例来实现。

[应用例1]一种表面声波谐振器，其具有：IDT，其设置在欧拉角为(117°≤θ≤142°，41.9°≤|ψ|≤49.57°)的石英基板上，激励阻带上端模式的表面声波；以及电极指间槽，其是通过使位于构成上述IDT的电极指之间的基板凹陷而形成的，该表面声波谐振器的特征在于，

在设上述表面声波的波长为λ、上述电极指间槽的深度为G的情况下，满足下式：

【式1】

0.01λ≤G，

而且，在将上述IDT的线占有率设为η的情况下，上述电极指间槽的深度G与上述线占有率η满足下式的关系：

【式2】

-2.5×G/λ+0.675≤η≤-2.5×G/λ+0.775。

根据具有这种特征的表面声波谐振器，能够提高频率温度特性。

[应用例2]根据应用例1所述的表面声波谐振器，上述电极指间槽的深度G满足下式的关系：