[发明专利]密集导线及其接触垫的图案的形成方法及存储器阵列有效
申请号: | 201310097123.7 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103715143A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 强纳森·都柏勒;史考特·希尔斯 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8242 | 分类号: | H01L21/8242;H01L21/768;H01L27/108 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 密集 导线 及其 接触 图案 形成 方法 存储器 阵列 | ||
1.一种密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,包括:
在一基底上形成多个平行基线图案;
修剪各该基线图案;
在经修剪的该些基线图案的侧壁上形成间隙壁形态的多个衍生线图案与多个衍生横向图案,该些衍生横向图案位于该些衍生线图案的末端之间,且邻近该些基线图案的末端;
移除经修剪的该些基线图案;以及
至少移除该些衍生线图案的多个末端部分,从而使该些衍生线图案彼此分离,且全部或部分的该些横向图案成为接触垫图案,其中每个接触垫图案与一个衍生线图案连接。
2.根据权利要求1所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,还包括将余留部分的该些衍生线图案及余留部分的该些横向图案转移至一下方导体层。
3.根据权利要求1所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,余留部分的该些衍生线图案及余留部分的该些横向图案直接作为导线及其接触垫。
4.根据权利要求1所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,该些基线图案的材料包括光阻材料。
5.根据权利要求1所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,该些基线图案彼此分离,使得该些衍生线图案排列成互相分离的多对,各对衍生线图案包括通过两个衍生横向图案连接的两个衍生线图案。
6.根据权利要求5所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,在至少移除该些衍生线图案的该些末端部分的步骤中,仅移除各衍生线图案的一末端部分。
7.根据权利要求6所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,
该些衍生线图案各自具有一第一末端及一第二末端;
各该衍生线图案所被移除的该末端部分是由一切段开口所定义,该切段开口位于该衍生图案的该第一末端或该第二末端;
该些切段开口交替排列在该些衍生线图案的该些第一末端及该些第二末端;以及
在该些衍生线图案的该些第一或第二末端的该些切段开口具有交错的排列方式。
8.根据权利要求1所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,多个基横向图案与该些基线图案一起形成,位于该些基线图案的末端;当修剪该些基线图案时,也修剪该些基横向图案;而当移除该些基线图案时,也移除该些基横向图案。
9.根据权利要求8所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,位于至少两个邻近的基线图案的末端的该些基横向图案互相结合。
10.根据权利要求8所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,在至少移除该些衍生线图案的该些末端部分的步骤中,移除各该衍生线图案的一末端部分及部分的该些衍生横向图案。
11.根据权利要求10所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,
该些衍生线图案各自具有一第一末端及一第二末端;
该些衍生线所被移除的该些末端部分及该些衍生横向图案所被移除的该些部分是通过一罩幕层中的多个切段开口所定义;
各该切段开口露出一对邻近的该些衍生线图案的位在该第一末端或该第二末端的该些末端部分;以及
该些切段开口交替排列在该些衍生线图案的该些第一末端及该些第二末端。
12.根据权利要求8所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,该些基线图案及该些基横向图案排列成蛇形结构。
13.根据权利要求8所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,该些基线图案及该些横向图案排列成一系列的成对的叉合叉状结构。
14.根据权利要求8所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,该些基线图案及该些横向图案排列成两个相对的梳状结构。
15.根据权利要求1所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,所形成的该些基线图案的线/间隙(L/S)宽度为F1/F1,经修剪的该些基线图案的线/间隙宽度为F2/3F2(F2=0.5F1),且该些衍生线图案的线/间隙宽度为F2/F2。
16.根据权利要求15所述的密集导线及其接触垫的图案的形成方法,其特征在于,F1为微影限制的特征尺寸。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310097123.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造