[发明专利]晶片收纳方法在审
申请号: | 201310096181.8 | 申请日: | 2013-03-25 |
公开(公告)号: | CN103367212A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 中村胜 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 党晓林;王小东 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 收纳 方法 | ||
技术领域
本发明涉及将通过激光的照射而在内部形成有改性层的晶片收纳到盒(cassette)中的方法。
背景技术
通过分割预定线划分开地形成有多个IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)、LED(发光二极管)等器件的晶片,被沿着分割预定线进行切断而分割为一个个器件,并利用到各种电子设备等中。
作为将晶片分割为一个个器件的方法提出了以下技术以供实用:将相对于晶片具有透射性的波长的激光光线的聚光点对准分割预定线的内部地进行照射,由此形成改性层,然后,通过对改性层施加外力来分割为一个个器件(例如,参照专利文献1)。照射激光光线时由于形成于晶片表面侧的器件碍事,所以从晶片的背面侧照射激光。
现有技术文献
专利文献1:日本专利第3408805号公报
发明内容
但是,因为在分割预定线的内部形成有改性层的晶片为容易沿着分割预定线破裂的状态,所以在将晶片收纳到盒中时,和将收纳有晶片的盒搬送到分割工序与磨削工序时,存在晶片会破裂这一问题,该分割工序是将晶片分割为器件的工序,该磨削工序是磨削晶片的背面的工序。
本发明是鉴于这样的问题而做出的发明,其课题为,当将沿着分割预定线在内部形成有改性层的晶片收纳到盒中进行搬送时,避免晶片破裂。
本发明涉及将在通过多条交叉的分割预定线划分出的区域形成有器件的晶片收纳到盒中的晶片收纳方法,该晶片收纳方法的特征在于,包括:改性层形成工序,将聚光点定位到分割预定线的内部地对晶片照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光线,沿着分割预定线形成改性层;以及收纳工序,将沿着分割预定线形成有改性层的晶片收纳到盒中,该盒至少具有:开口部,其容许晶片的进出;一对侧壁,其设置于开口部的两侧部;以及支撑搁板,其对置地形成于一对侧壁的内侧面且从开口部设置到背部,在收纳工序中,以分割预定线的方向与支撑搁板交叉的方式收纳晶片。
优选的是,在收纳工序中,以形成于晶片的分割预定线的方向相对于支撑搁板以45度的角度交叉的方式收纳晶片。
本发明中,在将沿着多条交叉的分割预定线形成有改性层的晶片收纳到盒中的收纳工序中,通过以分割预定线的方向相对于支撑搁板延伸方向交叉的方式收纳晶片,避免了晶片的自重集中在分割预定线,所以能够在盒的搬送中等防止晶片破裂。特别是,在以分割预定线的方向相对于支撑搁板以45度的角度交叉的方式将晶片收纳到盒中时,晶片自重导致的弯矩相对于交叉的分割预定线为最小,能够更可靠地防止晶片的破裂。
附图说明
图1是表示晶片和保护带的分解立体图。
图2是表示保护带粘贴在晶片表面的状态的立体图。
图3是表示激光加工装置的一个示例的立体图。
图4是表示在晶片内部形成改性层的状态的剖视图。
图5是表示在晶片内部形成改性层的状态的立体图。
图6是表示在晶片内部形成有改性层的晶片的立体图。
图7是表示将晶片收纳到盒中的状态的立体图。
图8是表示将晶片收纳到盒中的状态的俯视图。
图9是表示磨削晶片背面的状态的立体图。
图10是表示将晶片背面粘贴到扩张带并从晶片的表面剥离保护带的状态的立体图。
图11是表示分割晶片的状态的剖视图。
标号说明
1:激光加工装置
2:保持构件
3:加工构件
30:激光照射头 31:壳体 32:检测构件
4:保持构件X方向进给部
40:滚珠丝杠 41:导轨 42:马达 43:滑动部
5:保持构件Y方向进给部
50:滚珠丝杠 51:导轨 52:脉冲马达 53:移动基台
54:旋转驱动部
6:加工构件Y方向进给部
60:滚珠丝杠 61:导轨 62:脉冲马达 63:滑动部
7:加工构件Z方向进给部
70:滚珠丝杠 71:导轨 72:脉冲马达 73:升降部
8:改性层
9:盒
90:开口部 91:侧壁 92:支撑搁板 92a:槽 93:顶板 94:抓取部
95:保持部件
10:磨削装置
100:卡盘工作台 101:磨削构件 103:安装座
104:磨削轮 104a:磨削磨具
11:晶片扩张装置
110:保持工作台
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造