[发明专利]TOKMAK低混杂波天线辐射端面几何形状优化方法有效

专利信息
申请号: 201310095510.7 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN103200756A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 刘亮;刘甫坤 申请(专利权)人: 中国科学院等离子体物理研究所
主分类号: H05H1/10 分类号: H05H1/10
代理公司: 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人: 余成俊
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: tokmak 混杂 天线 辐射 端面 几何 形状 优化 方法
【权利要求书】:

1.一种TOKMAK低混杂波天线辐射端面几何形状优化方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)、多次做低混杂波天线运行实验并记下实验记录,获得实验期间低混杂波天线沿TOKMAK装置半径方向的位移范围,确定天线辐射端面中心到TOKMAK装置中心的平衡距离r0;

(2)、结合天线辐射端面中心到TOKMAK装置中心的平衡距离r0和低混杂波天线水平方向尺寸L计算得出天线辐射端面左、右两侧所占用环向角度Φ1、Φ2,通过公式

radius(φ)=r0+(r0·cos(11.25-φ360·2·π)-r0·cos(φ1360·2·π))]]>

计算得出仅考虑大环曲率半径因素影响的天线辐射端面环向切口几何形状radius(Φ) ,其中,Φ为沿装置大环方向的角度;

(3)、TOKMAK装置纵场线圈的数量是有限的,使得沿大环方向的磁力线在两个相邻的纵场线圈之间发生畸变,确定磁力线在两个相邻的纵场线圈之间发生沿半径方向的偏移量Dr0;

(4)、通过公式

ripple(φ)=r0-Dr02·cos(n·φ360·2·π)]]>

计算得出仅考虑装置纵场波纹度因素影响的天线辐射端面环向切口几何形状ripple(Φ),其中,n是EAST装置纵场线圈的数量;

(5)、通过公式

profile(φ)=r0-Dr02·cos(n·φ360·2·π)+(r0·cos(11.25-φ360·2·π)-r0·cos(φ1360·2·π))]]>

计算得出综合考虑装置大环曲率半径和纵场波纹度共同影响下的天线辐射端面环向切口所需形状profile(Φ);

(6)、确定天线极向切口形状。

2.根据权利要求1所述的TOKMAK低混杂波天线辐射端面几何形状优化方法,其特征在于:所述的确定天线极向切口形状所使用的方法为:研究天线在以往实验中的耦合情况,结合EAST各种放电位形的统计和拟合,以及对今后主流放电位形的研判,确定极向切口半径,天线上半部分和下半部分镜像对称。

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