[发明专利]去除有机硅中金属离子的方法有效

专利信息
申请号: 201310090688.2 申请日: 2013-03-20
公开(公告)号: CN103145752A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 徐志国;杜丽萍;袁京;胡文敬;张黎明;王万军;姜标 申请(专利权)人: 上海中科高等研究院;上海爱默金山药业有限公司
主分类号: C07F7/21 分类号: C07F7/21
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 余明伟
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 去除 有机硅 金属 离子 方法
【权利要求书】:

1.一种去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于,所述去除有机硅中金属离子的方法至少包括:

1)将待提纯的有机硅与预定比例的金属络合剂混合形成混合物;

2)将所述混合物预热后进行精馏,并将精馏后的轻组分冷凝以获得高纯有机硅。

2.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于:所述金属络合剂包括冠醚及其衍生物。

3.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于:所述金属络合剂包括氧桥氮杂环杯香烃及其衍生物。

4.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于:所述金属络合剂包括冠醚及其衍生物、和氧桥氮杂环杯香烃及其衍生物的混合剂。

5.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于:所述步骤1)在预处理器中进行。

6.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于:所述步骤2)在精馏塔中进行。

7.根据权利要求1所述的去除有机硅中金属离子的方法,其特征在于:所述有机硅包括环聚硅氧烷。

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