[发明专利]铁氧体薄膜的形成方法及通过该方法得到的铁氧体薄膜无效
| 申请号： | 201310088038.4 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103360043A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 土井利浩;樱井英章;中村贤藏;五十岚和则;曽山信幸 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/26 | 分类号： | C04B35/26;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁氧体 薄膜 形成 方法 通过 得到 | ||
【权利要求书】：
1.一种铁氧体薄膜的形成方法，其通过如下形成铁氧体薄膜，即进行一次或多次将铁氧体薄膜形成用组合物涂布于耐热性基板上来形成涂布膜的工序及临时烧结所述涂布膜的工序，以使临时烧结后的所述基板上的膜厚成为所希望的厚度，并对形成于所述基板上的临时烧结膜进行烧成，所述形成方法的特征在于，
对形成于所述基板上的临时烧结膜进行烧成的条件如下，即在大气、氧气或惰性气体气氛下，升温速度为1～50℃/分钟，保持温度为500～800℃，保持时间为30～120分钟。
2.如权利要求1所述的铁氧体薄膜的形成方法，其中，
所述铁氧体薄膜的元素构成为NiZnFeO、CuZnFeO或NiCuZnFeO。
3.如权利要求1或2所述的铁氧体薄膜的形成方法，其中，
对形成于所述基板上的涂布膜进行临时烧结的条件如下，即在大气或氧气气氛下，温度为100～450℃，保持时间为1～30分钟。
4.一种铁氧体薄膜，其通过权利要求1至3中任一项所述的形成方法得到。
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